CL32Y475KCIVPNE 是一款高性能的钽电容器,主要用于电源滤波、信号耦合和去耦等应用。该电容器具有低ESR(等效串联电阻)、高稳定性和长寿命的特点,能够在各种苛刻的工作环境下保持良好的性能。
它属于KCI系列,采用固态锰 dioxide (MnO2) 作为电解质,并以表面贴装技术(SMD)封装,适合自动化生产线装配。其端子通过焊接连接到电路板上,适用于紧凑型设计。
容量:47μF
额定电压:32V
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
外形尺寸:EIA 1810 (4.5mm x 9.0mm)
封装类型:SMD
绝缘耐压:50V
ESR典型值:25mΩ
容许偏差:±20%
CL32Y475KCIVPNE 使用先进的制造工艺确保其卓越的电气特性和可靠性。主要特点包括:
1. 高纹波电流承受能力,
2. 良好的温度稳定性,在极端温度条件下仍能维持稳定的电容值。
3. 具备优异的抗振动和抗冲击性能,适用于航空航天和汽车电子领域。
4. 绿色环保设计,符合RoHS标准,不含铅及其他有害物质。
5. 在长时间使用后仍能保持低漏电流水平,从而延长设备的整体使用寿命。
CL32Y475KCIVPNE 广泛应用于多个行业中的关键部位,具体包括:
1. 通信设备中的电源模块,如基站和路由器。
2. 工业控制系统的稳压电路和滤波电路。
3. 汽车电子中的发动机控制单元 (ECU) 和车载信息娱乐系统。
4. 医疗设备中对精度要求极高的仪器,例如超声波机和监护仪。
5. 军事和航天领域的高性能计算机及导航系统。
CL32Y476KCIVPNE
CL32Y475KCIPANE
CL32Y475KCIVPME