CL32B685MQFNNNE 是一款由三星(Samsung)生产的存储器芯片,属于LPDDR4X系列。该芯片主要用于移动设备和高性能计算领域,具有低功耗和高带宽的特点,广泛应用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备中。
这款芯片采用先进的制程工艺制造,能够在保证性能的同时降低功耗,非常适合对能效比要求较高的应用场景。
类型:存储器
系列:LPDDR4X
容量:6GB
位宽:32位
电压:1.1V
封装:FBGA
引脚数:100
工作温度范围:-40°C 至 85°C
数据传输速率:4266 Mbps
CL32B685MQFNNNE 提供了卓越的性能和能效表现。首先,其支持高达4266 Mbps的数据传输速率,能够满足现代移动设备对于高速数据处理的需求。其次,作为LPDDR4X系列的一员,该芯片通过降低I/O电压进一步减少了功耗,这对于延长电池续航时间至关重要。
此外,该芯片采用了紧凑的FBGA封装形式,适合在空间有限的设备中使用。同时,其工作温度范围较广,确保了在各种环境下的稳定运行。
最后,CL32B685MQFNNNE 还具备强大的错误检测与纠正功能,可有效提升数据的可靠性。
CL32B685MQFNNNE 主要应用于需要高性能和低功耗的场景,例如智能手机和平板电脑中的图形处理、多媒体播放以及复杂应用程序运行等任务。此外,它也可以用于其他便携式设备,如智能手表、笔记本电脑以及其他嵌入式系统中。
由于其高带宽和低功耗特点,这款芯片特别适合于需要大量数据交换和处理的应用,比如虚拟现实(VR)、增强现实(AR)以及人工智能(AI)相关功能的实现。
CL32B685MZFNNNE
K4B8G165MC-HYCB
MT53E1G128TFP-075