时间：2025/6/17 4:58:25
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CL32B475KBJNNWE 是一款由村田制作所（Murata）生产的多层陶瓷电容器（MLCC），属于 C0G/NP0 类介质材料的高稳定性电容器。该型号具有极低的温度系数和高可靠性，适用于需要高精度和稳定性的电路环境。
CL32B 系列电容器广泛应用于滤波、耦合、去耦以及定时电路等场景，其小尺寸和高性能特性使其成为消费电子、通信设备、汽车电子和工业控制领域的理想选择。
容值：47.5pF
额定电压：50V
公差：±0.25pF
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
封装类型：0201 (0603 metric)
介质材料：C0G/NP0
ESR：非常低
DF：≤0.15%（1kHz，20℃）
CL32B475KBJNNWE 具有以下显著特点：
1. 高频率稳定性：由于采用了 C0G/NP0 介质材料，这款电容器在宽温度范围内表现出极高的容值稳定性，几乎不受温度变化的影响。
2. 超低损耗：具备超低的介质损耗因数 (DF)，适合高频应用。
3. 小型化设计：采用 0201 封装，节省 PCB 空间，非常适合紧凑型设计。
4. 高可靠性：通过严格的筛选和测试流程，确保在各种严苛环境下保持稳定的性能。
5. 容值精确：公差仅为 ±0.25pF，满足对容值精度要求极高的应用需求。
CL32B475KBJNNWE 主要应用于以下领域：
1. 滤波器设计：用于射频 (RF) 和音频信号的滤波，提供纯净的信号传输。
2. 去耦和旁路：为电源线路提供高效的噪声抑制，保证芯片和其他元器件的稳定运行。
3. 振荡电路：作为振荡器中的关键元件，提供精准的时间基准。
4. 汽车电子：可用于发动机控制单元 (ECU)、信息娱乐系统和传感器接口等。
5. 工业自动化：适用于工业级控制器、电机驱动器和数据采集系统等对稳定性要求较高的场合。
CL32B475KBANNWE
CL32A475KBJNNWE
