封装尺寸：3216（1206）
　　电容值：15pF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：C0G（NP0）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　介质材料：Class I陶瓷（C0G）
　　ESR：极低
　　绝缘电阻：≥10^10 Ω·μF
　　电容温度系数：±30ppm/°C
　　老化率：≤0.1% per decade
　　尺寸（长×宽×高）：3.2mm × 1.6mm × 1.1mm

CL321611T-150K-N采用C0G（NP0）型陶瓷介质，这是Class I类陶瓷材料的代表，具有极其优异的电气稳定性。其最显著的特点是在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）电容值的变化极小，典型温度系数为±30ppm/°C，这意味着即使在极端温度环境下，其电容值也不会发生明显漂移，保证了电路参数的一致性和长期可靠性。这种稳定性使其成为高频电路和精密定时应用的理想选择，例如LC谐振回路、RF阻抗匹配网络、晶体振荡器负载电容等，其中任何微小的电容变化都可能影响系统性能。此外，C0G介质不随施加的直流偏压而改变电容值，这一点与X7R、X5R等Class II介质有本质区别——后者在接近额定电压时容量可下降多达50%以上，严重影响电路设计精度。
　　该器件还具备极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有助于减少高频下的能量损耗和噪声产生，提升信号完整性。由于其介质为线性材料，因此不存在电压非线性效应或微音效应（microphonics），避免了因机械振动引发的电性能波动。CL321611T-150K-N的绝缘电阻极高（通常大于10^10 Ω·μF），漏电流极小，在长时间运行中不会造成明显的电荷泄漏，适用于高阻抗节点和采样保持电路。
　　从结构上看，该MLCC采用多层交错电极设计，内部由数十甚至上百层陶瓷与金属电极交替堆叠而成，提升了单位体积下的电容密度与机械强度。外电极通常为三层端子结构（铜镍锡或铜银锡），具有良好的可焊性和耐腐蚀性，支持无铅回流焊接工艺，符合RoHS环保标准。同时，该器件通过了严格的环境可靠性测试，包括高温高湿偏压（H3TRB）、温度循环、耐焊接热等试验，确保在复杂工况下仍能维持稳定性能。其低老化率（小于0.1%每十倍时间）也意味着长期使用过程中无需频繁校准或更换。

CL321611T-150K-N因其卓越的温度稳定性和低损耗特性，广泛应用于对电容稳定性要求极高的高性能电子系统中。典型应用场景包括射频（RF）前端模块中的阻抗匹配网络，如功率放大器输出匹配、天线调谐电路、滤波器组件等，这些电路需要精确且不受温度影响的电容值来维持最佳传输效率和最小反射损耗。此外，它常被用作晶体或SAW振荡器的负载电容，确保振荡频率的高度稳定，防止因环境温度变化引起的时钟漂移，这在通信设备、网络路由器、基站模块和工业控制器中至关重要。
　　在模拟信号处理领域，该电容适用于高精度运算放大器反馈回路、有源滤波器、ADC/DAC参考电压旁路等场合，其低噪声和线性特性有助于提升信噪比和转换精度。在电源管理电路中，虽然其容量较小，但可用于高频去耦，特别是在开关频率较高的DC-DC转换器中，作为局部高频噪声的滤波元件，配合大容量陶瓷电容形成多级滤波网络，有效抑制高频干扰。
　　由于其通过AEC-Q200车规认证，该型号也可用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统（ADAS）、车身控制模块等，在恶劣的温度循环和振动环境下依然保持稳定工作。此外，工业自动化设备、医疗仪器、测试测量仪器等对长期可靠性和精度要求高的设备中也大量采用此类C0G MLCC。其小型化封装便于密集布板，适应现代电子产品轻薄化趋势。

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　　 "GRM3195C1H150JA01D",
　　 "CC03C150J5GAR",
　　 "C1608C0G1H150J",
　　 "EMK316ABK150KL-T"
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