型号：CL31X476KQHNNNE
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　封装尺寸：0805 (2.0mm × 1.25mm)
　　电容值：47μF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，ΔC/C ≤ ±15%）
　　介质材料：Class II 钛酸钡基陶瓷
　　端电极结构：Ni-barrier（抗硫化）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　最大厚度：1.25mm
　　包装形式：卷带（Tape and Reel）
　　RoHS合规性：符合 RoHS 指令要求

CL31X476KQHNNNE 具备出色的电容稳定性与温度适应能力，基于X7R类陶瓷介质，在-55°C到+125°C的工作温度范围内，电容值的变化不超过±15%，使其能够在宽温环境中保持可靠的性能表现。该电容器采用先进的叠层制造工艺，实现了在0805小型封装内集成高达47μF的电容容量，显著提升了单位体积的储能密度，有助于缩小PCB布局面积并提高系统集成度。其内部电极采用贵金属钯银（Pd-Ag）或铜（Cu）体系，并结合镍阻挡层结构设计，有效防止外部硫元素渗透导致的电极腐蚀，从而增强器件在工业现场、汽车引擎舱或户外设备中的长期可靠性。此外，该产品通过严格的AEC-Q200认证测试（部分批次），具备良好的机械强度和抗热冲击性能，可承受回流焊过程中的多次高温循环而不损坏。在电气性能方面，CL31X476KQHNNNE具有较低的等效串联电阻（ESR）和适中的等效串联电感（ESL），适用于高频开关电源中的滤波和去耦应用，能有效抑制电压波动和噪声干扰。同时，由于其非极性特性，安装时无需考虑方向，简化了SMT贴装流程。该电容还表现出良好的直流偏压特性，在接近额定电压工作时仍能维持较高比例的可用电容值，优于许多同类高容值MLCC产品。整体而言，这款器件融合了高容量、小尺寸、高耐压与环境耐受性等多项优势，是替代传统钽电容或铝电解电容的理想选择之一。
　　在实际应用中，用户需注意避免施加超过额定电压的瞬态电压或反向电压，并建议在PCB布局时采用对称焊盘设计以减少热应力不均引起的开裂风险。推荐使用J-STD-020标准定义的无铅回流焊曲线进行装配，峰值温度不超过260°C。

CL31X476KQHNNNE 主要用于各类需要高性能去耦、滤波和储能功能的电子系统中。典型应用场景包括DC-DC降压或升压转换器的输入与输出端滤波，用于平滑开关噪声和稳定供电电压，尤其适用于服务器主板、网络交换机和嵌入式计算平台中的电源轨调理。在工业自动化控制系统中，该电容常被用作PLC模块、传感器接口板和人机界面设备的旁路元件，以提升系统抗干扰能力和信号完整性。此外，在电信基础设施如基站电源单元、光模块供电电路中，CL31X476KQHNNNE 凭借其高可靠性和长寿命，能够满足7×24小时连续运行的要求。在消费类电子产品中，如高端路由器、智能电视和游戏主机，它也被广泛用于核心芯片组的电源去耦网络。随着电动汽车和ADAS系统的发展，该型号也逐步进入车载信息娱乐系统和车身控制模块领域，配合其他车规元件构建稳健的供电架构。由于其抗硫化特性，特别适合部署在含有工业废气或沿海高盐雾环境的应用场合。在医疗电子设备中，例如便携式监护仪和诊断仪器，该电容可用于确保关键电路的稳定运行。总之，凡是对空间、效率和可靠性有较高要求的现代电子设计，CL31X476KQHNNNE 均是一个极具竞争力的选择。

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　　 "GRM21BR71H476KA01L",
　　 "C3216X7R1H476K",
　　 "EMK212BJ476KL-L",
　　 "CL31B476KBHNNNE"
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