类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　电容值：27nF (0.027μF)
　　容差：±5% (J)
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，ΔC/C ≤ ±15%）
　　封装尺寸：0603（1608 公制）
　　长度：1.6mm ±0.2mm
　　宽度：0.8mm ±0.15mm
　　厚度：最大 1.05mm
　　电极结构：Ni-barrier（镍阻挡层）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　耐焊接热：符合 J-STD-020 标准
　　RoHS合规性：符合（无铅、无卤素）

CL31C273JBHNNNE 具备出色的温度稳定性与电压稳定性，其X7R介质材料确保了在宽温范围内电容值的变化控制在±15%以内，适用于对电容稳定性有一定要求但不需要NP0/C0G级别精度的应用场景。该电容器采用先进的叠层制造工艺，内部电极交错排列，有效降低了等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而提升了高频下的去耦性能，特别适合用于电源轨的噪声抑制和高频旁路应用。其0603小型封装在保证足够机械强度的同时，显著节省PCB空间，满足现代电子产品小型化、轻薄化的设计趋势。镍阻挡层端子结构不仅增强了焊点的可靠性，还能防止银离子迁移导致的短路风险，提高长期使用的稳定性。该器件经过严格的湿度敏感等级（MSL 1）测试，可在高温高湿环境下保持性能稳定，适用于自动化贴片生产线。此外，CL31C273JBHNNNE具有良好的抗热冲击能力，能承受多次回流焊过程而不损坏，适合无铅焊接工艺。得益于三星电机在陶瓷材料配方和烧结工艺上的技术积累，该电容器在寿命试验、负载耐久性测试和高温储存测试中表现出优异的可靠性，适用于工业级和部分汽车级应用场景。
　　在电气性能方面，X7R材质虽然不如C0G/NP0那样线性，但其较高的介电常数使得在相同封装下可实现更大的电容值，因此在需要较高电容密度的场合更具优势。CL31C273JBHNNNE 在直流偏置下的电容衰减表现良好，在接近额定电压时仍能保持较高的有效电容，优于许多同类产品。这一特性使其在电源管理单元（PMU）、DC-DC转换器输入输出滤波、时钟线路耦合等应用中表现可靠。同时，该器件具备较低的漏电流和较高的绝缘电阻，有助于减少静态功耗并提升系统能效。综合来看，CL31C273JBHNNNE 是一款性能均衡、可靠性高、适用范围广的通用型MLCC，在成本、性能与尺寸之间实现了良好平衡，是众多电子设计中的优选元件之一。

CL31C273JBHNNNE 主要应用于需要稳定电容性能和高可靠性的电子电路中。常见使用场景包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源去耦和信号滤波。在这些设备中，它常被用于处理器核心供电、内存模块、射频前端电路以及传感器接口的旁路电容，以抑制高频噪声并稳定电压。此外，该电容器也广泛用于通信基础设施设备，如路由器、交换机和基站模块，承担高速数据通道的耦合与去耦任务。在工业控制系统中，CL31C273JBHNNNE 可用于PLC控制器、人机界面（HMI）和传感器信号调理电路，提供稳定的滤波支持。由于其工作温度范围宽，也可用于部分汽车电子应用，例如车载信息娱乐系统、车身控制模块和辅助驾驶系统的电源管理部分。在电源转换领域，该器件适用于AC-DC和DC-DC开关电源的输入输出滤波网络，帮助平滑电压纹波并提升电源效率。同时，因其良好的高频响应特性，也可作为模拟信号链路中的交流耦合电容，用于音频放大器、运算放大器和ADC/DAC接口电路中，实现直流隔离与信号传递。此外，在医疗电子、测试测量仪器和智能家居设备中，该电容器凭借其高可靠性和一致性，也成为设计师常用的被动元件之一。无论是在大批量自动化生产还是在高可靠性要求的环境中，CL31C273JBHNNNE 都展现出良好的适应性和稳定性，是一款通用性强、应用广泛的多层陶瓷电容器。

GRM188R71H273JA01D
　　CC0603JRNPO9BN27N
　　RC0603JR-0727NL
　　C2012X7R1H273K