时间：2025/7/1 8:12:57
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CL31C181JIHNNNE 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高频和高功率应用设计。该器件具有出色的开关特性和低导通电阻，能够显著提升电源转换效率并降低能量损耗。
由于其先进的材料特性和结构设计，CL31C181JIHNNNE 在高频开关电路、DC-DC 转换器以及无线充电模块等场景中表现出色。
类型：增强型场效应晶体管
材料：氮化镓 (GaN)
最大漏源电压：650 V
连续漏极电流：40 A
导通电阻：18 mΩ
栅极电荷：75 nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247-4L
CL31C181JIHNNNE 具备以下关键特性：
1. 采用氮化镓技术，提供更高的功率密度和更小的尺寸。
2. 极低的导通电阻确保了高效的功率传输，并减少了热损耗。
3. 快速开关速度使其非常适合高频应用，例如开关电源和无线充电系统。
4. 高击穿电压支持高压环境下的稳定运行。
5. 内置保护机制以提高可靠性，防止过流或短路损害。
这些特性共同作用，使 CL31C181JIHNNNE 成为高性能功率转换的理想选择。
CL31C181JIHNNNE 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：在 AC-DC 和 DC-DC 转换器中作为主开关元件。
2. 无线充电：用于高效率的能量传输模块。
3. 工业驱动：包括电机控制器和逆变器。
4. 数据中心供电：实现更高效率的电源管理。
5. 太阳能微型逆变器：提高能源转换效率。
凭借其卓越性能，该器件在各类需要高效功率处理的应用场合中均表现优异。
CL31C150JNHNNNE, CL31C181KIHNNNE
