时间：2025/7/8 18:29:23
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CL31C120KCNC是一款由ONSEMI（安森美）生产的高压MOSFET晶体管，采用TO-263封装形式。该器件适用于需要高耐压和低导通电阻的功率转换应用，例如开关电源、电机驱动以及逆变器等领域。
这款MOSFET采用了先进的沟槽技术制造，具有出色的开关特性和较低的导通损耗，能够显著提升系统的效率和可靠性。
型号：CL31C120KCNC
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压：1200V
最大连续漏极电流：8.5A
栅极电荷：49nC
输入电容：1740pF
RDS(on)（典型值）：1.2Ω
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装：TO-263
CL31C120KCNC具备以下主要特性：
1. 高耐压能力，支持高达1200V的漏源电压，适合高压环境下的工作。
2. 低导通电阻RDS(on)，有助于减少功率损耗，提高系统效率。
3. 快速开关性能，栅极电荷较小，可降低开关损耗。
4. 良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内正常运行。
5. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
6. 可靠性高，适用于工业级和汽车级应用需求。
此外，其TO-263封装提供良好的散热性能，便于设计者进行布局优化。
CL31C120KCNC广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换级。
2. 工业电机驱动电路中的功率开关元件。
3. 不间断电源(UPS)和逆变器的核心组件。
4. 太阳能逆变器中用于功率调节的开关。
5. 各类高压负载控制和切换场景。
6. 电动车及混合动力车中的DC-DC转换器模块。
由于其高耐压和低功耗特点，该MOSFET在需要高效能量转换的应用场合表现出色。
CL31C120KCN, FCH08N120B, IRFP460
