时间：2025/7/11 16:42:58
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CL31B684MANC 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，采用先进的制造工艺以确保其在高功率应用中的稳定性和可靠性。该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET，适用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。其封装形式为行业标准的 TO-220，便于散热管理和电路设计。
该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高整体效率。同时，其较高的漏源击穿电压（BVDSS）使其能够承受更高的电压，适合于多种工业和消费类电子产品的电源管理部分。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：12A
导通电阻：0.5Ω
栅极电荷：30nC
总功耗：175W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
CL31B684MANC 提供了卓越的电气性能和可靠性，其主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有效降低功率损耗，提升系统效率。
2. 高耐压能力，能够承受高达 650V 的漏源电压，适用于高压应用场景。
3. 快速开关速度，减少了开关损耗，提升了高频下的性能表现。
4. 强大的散热性能，得益于 TO-220 封装设计，可以更有效地将热量传导至散热器。
5. 稳定的工作温度范围，从 -55℃ 到 +150℃，满足各种极端环境下的应用需求。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
CL31B684MANC 广泛应用于多个领域，涵盖消费电子、工业控制以及汽车电子等方面。典型的应用场景包括：
1. 开关电源 (SMPS)：作为主开关管，用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中。
2. 电机驱动：用于控制直流电机或步进电机的速度与方向。
3. 逆变器：在太阳能逆变器和其他类型的电力转换设备中提供高效的开关功能。
4. 过流保护电路：利用其快速响应能力和低导通电阻来实现精确的电流限制。
5. 电池管理系统 (BMS)：用作电池充放电路径上的功率开关，确保安全可靠的运行状态。
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STP12NK65Z
FQP12N65C
