时间：2025/11/13 16:41:51
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CL31B472KGFNFNE是一款由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于CL系列，广泛应用于各类电子设备中，具有高可靠性、小尺寸和优良的电性能。CL31B472KGFNFNE采用X7R电介质材料，具备良好的温度稳定性，适用于需要在宽温度范围内保持电容值稳定的电路设计。其标称电容为4700pF（即4.7nF），额定电压为50V，电容容差为±10%（代号K）。该电容器采用0805（2012公制）封装尺寸，适合表面贴装技术（SMT），在自动化贴片生产中具有良好的可焊性和机械强度。CL31B472KGFNFNE常用于去耦、滤波、旁路、耦合及定时电路中，尤其适用于消费类电子产品、通信设备、计算机外围设备以及工业控制模块等对空间和性能要求较高的应用场景。
电容值：4700pF (4.7nF)
容差：±10%
额定电压：50V
电介质材料：X7R
温度特性：±15% @ -55°C to +125°C
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
封装尺寸：0805 (2012mm)
安装类型：表面贴装（SMD）
层数结构：多层陶瓷
ESR（等效串联电阻）：低
DF（耗散因子）：≤2.5%
绝缘电阻：≥1000MΩ 或 C×V ≥ 10000MΩ·μF
耐湿性：符合IEC 61249-2-21标准
端子电极：镍阻挡层 + 锡外涂层（Ni-Sn）
无铅/符合RoHS：是
CL31B472KGFNFNE所采用的X7R电介质材料赋予了其优异的温度稳定性，能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持电容值变化不超过±15%，这使其非常适合用于环境温度波动较大的工业与汽车电子系统中。相较于Z5U或Y5V等电介质类型，X7R在温度变化下的电容稳定性显著更优，同时仍能实现较高的体积效率，因此在性能与成本之间实现了良好平衡。该电容器的多层结构设计不仅提升了单位体积内的电容密度，还有效降低了等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），从而增强了其在高频去耦和噪声滤波应用中的表现。此外，其0805封装尺寸在保证足够机械强度的同时，也满足了现代电子产品小型化的需求。
该器件采用镍阻挡层和锡外涂层的端子结构，提供了良好的可焊性和抗热循环疲劳能力，能够承受多次回流焊过程而不影响性能。其符合RoHS指令且不含卤素，满足现代绿色电子产品的环保要求。CL31B472KGFNFNE还通过了AEC-Q200等可靠性认证（视具体批次而定），适用于对长期稳定性要求较高的应用场景。由于其低介电损耗（DF ≤ 2.5%）和高绝缘电阻，该电容器在信号耦合和定时电路中表现出色，能有效减少信号失真和能量损耗。此外，其结构设计优化了应力缓解能力，减少了因PCB弯曲或热膨胀不匹配导致的裂纹风险，提高了整体系统的可靠性。
CL31B472KGFNFNE广泛应用于多种电子系统中，尤其适合需要稳定电容性能和高可靠性的场合。在电源管理电路中，它常被用作去耦电容，安装在集成电路（如MCU、FPGA、ASIC）的电源引脚附近，以滤除高频噪声并稳定供电电压，防止因瞬态电流引起的电压波动影响芯片正常工作。在模拟信号处理电路中，该电容器可用于滤波网络，例如低通、高通或带通滤波器，利用其稳定的电容值确保频率响应的一致性。此外，在时钟和振荡电路中，它可以作为负载电容的一部分，配合晶振使用，帮助维持稳定的振荡频率。
在通信设备中，CL31B472KGFNFNE可用于射频前端模块的偏置电路或阻抗匹配网络，因其低ESR和良好高频特性有助于提升信号完整性。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该器件凭借小尺寸和高性能优势，广泛用于主板上的各种旁路和耦合功能。工业控制系统、医疗电子设备以及汽车电子模块（如ADAS、车载信息娱乐系统）也大量采用此类规格的MLCC，以满足严苛的工作环境要求。此外，它还可用于DC-DC转换器的输入输出滤波电路，抑制开关噪声，提高电源效率。
GRM21BR71H472KA01L
CC0805KRX7R9W472
C2012X7R1H472K
