时间：2025/7/10 19:52:33
阅读：7
CL31B273JANC 是一款由 ROHM 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要应用于需要高效率和低导通电阻的场景。该器件采用 LFPAK56（PowerSO8）封装，具有出色的开关性能和散热能力。由于其低导通电阻和快速开关特性，它非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理等应用。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：94A
导通电阻（Rds(on)）：0.78mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：97nC
开关速度：快速开关
工作结温范围：-55℃至+175℃
CL31B273JANC 具有非常低的导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
其高电流承载能力和宽温度范围使得该器件能够在严苛的环境下稳定运行。
采用 LFPAK56 封装形式，具备较低的热阻和寄生电感，从而进一步提升器件的散热性能和高频开关能力。
此外，该 MOSFET 还拥有优秀的雪崩耐量和 ESD 防护能力，增强了系统的可靠性和鲁棒性。
该芯片广泛应用于汽车电子领域中的各种场景，包括但不限于：
DC-DC 转换器中的同步整流开关
电机控制与驱动电路中的功率级开关
负载开关或保护电路中的主开关元件
电池管理系统中的充放电路径管理开关
其他需要高效功率转换和处理大电流的应用
IRLB8749PBF
AOI2S05
FDP067N03L
