CL31B226KPHNNNE 是一款由村田制作所(Murata)生产的多层陶瓷电容器(MLCC),属于 C0G 介质类型。该型号具有高稳定性和低损耗特性,通常用于射频和高频电路应用中。其额定电压和电容值适中,能够满足多种电子设备的需求。
该型号采用了表面贴装技术(SMD),适合自动化生产流程,广泛应用于通信设备、消费电子产品以及工业控制等领域。
电容值:22pF
额定电压:50V
公差:±0.5pF
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装形式:0402英寸
介质材料:C0G/NP0
ESR:≤10mΩ
频率特性:在1MHz下测试
CL31B226KPHNNNE 属于 C0G 类介质的 MLCC,具有温度稳定性极高的特点,在整个温度范围内电容量变化几乎可以忽略不计。这种特性使其非常适合用于滤波器、振荡器以及其他对电容精度要求较高的场景。
此外,该电容器具有较低的介质损耗和高 Q 值,这使得它在高频电路中表现出色,能够有效减少信号失真。由于采用了紧凑的 0402 封装,这款电容器还非常适合空间受限的应用环境。
village 公司通过先进的制造工艺确保了产品的高质量和可靠性,CL31B226KPHNNNE 的设计也符合 RoHS 标准,满足环保要求。
CL31B226KPHNNNE 主要用于需要高精度和稳定性的高频电路中,包括但不限于以下领域:
- 射频模块中的谐振和滤波
- 振荡电路中的负载电容
- 高速数据传输线路中的去耦
- 医疗设备中的信号调理
- 工业控制系统中的噪声抑制
- 消费类电子产品中的电源管理
CL11B222KPNNEE
GRM155R102K500J
C1608C222K5RACTU