时间：2025/7/9 14:45:19
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CL31B225KBHNFNE 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极性晶体管（BJT），具体型号为 CL31B225K 系列。该器件采用 NPN 结构设计，适用于高增益、高速开关和线性放大等应用场合。其封装形式为 TO-263（DPAK），具有良好的散热性能和较高的电流承载能力。
这款晶体管广泛用于消费电子、工业控制、电源管理和通信设备等领域。它具备低饱和电压、高增益以及出色的热稳定性，能够满足多种电路设计需求。
集电极-发射极电压：40V
集电极电流：3A
直流电流增益（hFE）：100~600
功率耗散：65W
工作结温范围：-55℃~150℃
存储温度范围：-65℃~150℃
热阻（J-C）：2°C/W
过渡频率：300MHz
最大功耗：75W
CL31B225KBHNFNE 晶体管的主要特性包括：
1. 高电流增益（hFE），适合需要高增益的放大器或开关电路。
2. 低饱和电压（Vce(sat)），在开关应用中可以有效降低功耗。
3. 较高的集电极电流能力，能够承受较大的负载电流。
4. 封装形式为 TO-263（DPAK），具有良好的散热性能和紧凑的外形设计。
5. 工作温度范围宽广，能够在恶劣环境下稳定运行。
6. 高速切换能力，适合高频应用环境。
7. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子产品的需求。
CL31B225KBHNFNE 可应用于以下领域：
1. 开关电源中的开关晶体管。
2. 音频功率放大器中的输出级驱动晶体管。
3. 各类线性稳压器和保护电路中的关键元件。
4. 工业控制设备中的信号放大和处理模块。
5. 电机驱动电路中的开关元件。
6. LED 驱动电路中的电流控制器件。
7. 数据通信设备中的高速信号传输与放大组件。
CL31B225KGHNFNE, CL31B225KHNFNE
