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CL31B225KAHNFNE 发布时间 时间:2025/12/23 9:09:45 查看 阅读:17

CL31B225KAHNFNE 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,属于 Cree 公司(现为 Wolfspeed)生产的碳化硅基 GaN HEMT 系列。该器件采用常关型设计,具有低导通电阻和高开关速度,适用于高频、高效率的电源转换应用。
  这款芯片专为硬开关和软开关拓扑结构优化,如图腾柱 PFC、DC-DC 转换器以及 LLC 谐振转换器等。其封装形式为表面贴装类型,能够提供卓越的热性能和电气性能。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:225A
  导通电阻:8mΩ
  栅极电荷:90nC
  输入电容:1420pF
  反向恢复时间:无(由于是 GaN 器件,不存在反向恢复问题)
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

CL31B225KAHNFNE 的主要特点是采用了先进的 GaN 技术,与传统硅基 MOSFET 相比,具备更低的导通损耗和开关损耗。这使得它非常适合在高频条件下运行,从而减小磁性元件体积并提高功率密度。
  此外,该器件拥有快速开关能力,可显著降低死区时间内的交叉传导损耗,并且其内部结构经过优化以减少米勒效应的影响。同时,它还具有良好的短路耐受能力和鲁棒性,适合工业级和消费级的各种严苛应用场景。
  为了确保系统稳定性,CL31B225KAHNFNE 配备了增强的安全操作区域(SOA),能够在过载或异常情况下保持正常运行。另外,得益于氮化镓材料本身的特性,该器件能够在高温环境下长期稳定工作。

应用

CL31B225KAHNFNE 广泛应用于高效率电力电子领域,包括但不限于以下方面:
  1. 数据中心服务器电源供应单元(PSU)
  2. 电动汽车车载充电机(OBC)
  3. 工业用电机驱动器和逆变器
  4. 太阳能光伏微型逆变器
  5. 高功率密度 DC-DC 转换模块
  6. 图腾柱无桥功率因数校正电路(PFC)
  7. 消费类快充适配器和无线充电设备

替代型号

CL31B200KAHNFNE, CL31B150KAHNFNE

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CL31B225KAHNFNE参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥1.67000剪切带(CT)2,000 : ¥0.32909卷带(TR)
  • 系列CL
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电容2.2 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用通用
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.071"(1.80mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-