时间：2025/11/13 19:40:47
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CL31B106KAHSFNE是一款由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于高容值、小尺寸的表面贴装电容器，广泛应用于各类电子设备中，用于电源去耦、滤波、旁路和信号耦合等电路功能。CL31B系列是基于X7R介电材料的电容器，具备良好的温度稳定性和较高的体积效率，适用于需要在宽温度范围内保持电容值稳定的场景。该型号采用标准的0805（2012公制）封装尺寸，额定电容为10μF（106表示10×10^6 pF），额定电压为16V DC，电容容差为±10%（K级）。
这款MLCC采用了镍阻挡层端子电极技术（Ni-barrier termination），提升了抗硫化能力，增强了在恶劣环境下的可靠性，特别适合工业控制、汽车电子和通信设备等对长期稳定性要求较高的应用场合。此外，CL31B106KAHSFNE符合RoHS环保标准，无铅且兼容现代回流焊工艺，支持自动化贴片生产流程。由于其高电容密度和小型化设计，它在空间受限的设计中具有显著优势，是替代传统钽电容和铝电解电容的理想选择之一。
电容值：10μF
容差：±10%
额定电压：16V DC
介电材料：X7R
温度范围：-55°C 至 +125°C
电容变化率：±15%（在温度范围内）
封装尺寸：0805（2.0mm × 1.25mm）
厚度：约1.25mm
端接类型：镍阻挡层（Ni-barrier）
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
直流偏压特性：随电压升高电容值下降（典型X7R行为）
ESR：低（具体值需查数据手册）
ESL：低（高频性能良好）
寿命：长寿命，无磨损机制
抗硫化能力：有（适用于高硫环境）
RoHS合规性：符合
CL31B106KAHSFNE所采用的X7R介电材料赋予了其优异的温度稳定性，在-55°C到+125°C的宽温度范围内，电容值的变化不超过±15%，这使得它非常适合用于对温度敏感的应用场景，例如工业传感器、汽车电子控制系统以及户外通信模块。这种稳定性远优于Z5U或Y5V类电介质，因此在需要可靠性能的系统中被优先选用。
该电容器使用先进的叠层结构设计，在有限的0805封装内实现了高达10μF的电容值，体现了三星电机在高密度陶瓷电容制造方面的领先技术。通过优化内部电极层数与介质厚度，不仅提高了单位体积的储能能力，还降低了等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而提升了高频去耦效果，有助于抑制电源噪声和瞬态电压波动。
Ni-barrier端子结构是该型号的一大亮点，其外层为锡镀层，中间为镍阻挡层，能有效防止大气中的硫化物渗透至内部银电极，避免形成高电阻的硫化银，从而显著提升产品在含硫工业环境或汽车排气附近等恶劣条件下的长期可靠性。这一特性使其满足AEC-Q200等车规级可靠性标准的部分要求，可用于非动力总成类车载电子系统。
此外，CL31B106KAHSFNE具备良好的机械强度和热循环耐受能力，能够承受多次回流焊过程而不损坏。其无磁性、无老化特性的特点也使其适用于精密模拟电路和医疗电子设备。尽管X7R材料存在电压系数（即施加直流偏压时电容下降）的问题，但在16V额定电压下工作于5V或3.3V系统时仍可保持较高有效电容，因此在大多数数字电源去耦应用中表现良好。
CL31B106KAHSFNE广泛应用于多种电子系统中，主要作为电源去耦电容使用，安装在集成电路（如MCU、DSP、FPGA、ASIC）的电源引脚附近，以滤除高频噪声并提供瞬时电流支持，确保芯片稳定运行。在便携式消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，该电容器因其小尺寸和高电容密度而被大量采用，帮助实现紧凑化设计。
在工业自动化领域，该器件用于PLC控制器、工业HMI、传感器信号调理模块等设备中，承担电源滤波和信号耦合任务，其宽温特性和抗硫化能力确保了在高温工厂环境或腐蚀性气氛中的长期稳定性。在汽车电子方面，CL31B106KAHSFNE可用于车身控制模块（BCM）、信息娱乐系统、ADAS传感器供电单元等非引擎舱但仍有一定环境挑战的部位，支持车载系统的可靠运行。
通信基础设施设备，如基站射频模块、光模块电源管理电路，也常使用此类高性能MLCC进行局部稳压和噪声抑制。此外，在医疗仪器、测试测量设备和物联网节点中，该电容器凭借其高可靠性与环保特性，成为设计师信赖的选择。随着电子产品向小型化、高集成度发展，CL31B106KAHSFNE这类高容积比MLCC的重要性持续上升。
GRM21BR71C106KA01L
C2012X7R1C106K125AE
TC321B71C106KEA
