电容值：1.0μF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：X7R
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装尺寸：0805（2012）
　　介质材料：陶瓷
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　电介质特性：Class II
　　直流偏压特性：存在一定程度的电容随电压下降
　　老化特性：X7R材质具有一定的老化率，通常为每十年约2.5%
　　抗湿性：符合IEC 61249-2-21标准
　　耐焊接热：通过JEDEC J-STD-020认证
　　失效率：低，适用于高可靠性应用

CL31B105JAHNNWE所采用的X7R陶瓷介质是一种钙钛矿结构的铁电材料，具有较高的介电常数，能够在较小的封装内实现较大的电容值。这种材料在-55°C到+125°C的宽温度范围内保持电容稳定性，变化幅度控制在±15%以内，使其非常适合用于对温度敏感的应用场景，如电源管理模块、DC-DC转换器输出滤波和模拟信号路径中的耦合电容。相比C0G/NP0类电容器虽然X7R的温度稳定性略低，但其更高的体积效率使得它在需要大容量而空间受限的设计中更具优势。
　　该型号在直流偏压下的电容性能表现良好，但在接近额定电压时仍会出现一定比例的电容衰减，这是Class II介质材料的固有特性。因此，在实际设计中应考虑施加电压对有效电容的影响，建议工作电压不超过额定电压的80%，以确保系统稳定性。同时，由于陶瓷电容器具有压电效应，在音频或振动环境中可能产生微小噪声电流，需注意布局和机械固定方式。
　　CL31B105JAHNNWE的0805封装提供了良好的焊接可靠性和自动化生产兼容性，适用于回流焊工艺，并能承受多次热循环而不易开裂。其内部电极通常采用镍/钯或铜等金属材料，外电极则经过三层电镀处理（铜-镍-锡），增强了可焊性和长期环境耐久性。此外，该器件具有较低的等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），有利于提升高频去耦效果，减少电源噪声，提高系统EMI性能。
　　在寿命和可靠性方面，该电容器的设计满足工业级和汽车电子的基本需求，经过严格的湿度、温度循环和寿命测试，确保在恶劣环境下长期稳定运行。尽管不属于AEC-Q200认证产品，但仍被广泛用于非严苛车载应用和高要求工业设备中。

CL31B105JAHNNWE广泛应用于各类电子电路中，尤其适合作为电源去耦电容，部署在IC电源引脚附近，用以滤除高频噪声并稳定供电电压。在DC-DC转换器、LDO稳压器的输入和输出端，该电容器可有效平滑电压波动，抑制开关噪声，提升电源效率与动态响应能力。此外，由于其具备1.0μF的中等容量和50V的耐压水平，也常用于跨接在电源轨之间作为储能或瞬态响应补偿元件。
　　在模拟信号链路中，该器件可用于交流耦合（AC coupling），隔离直流分量的同时传递有用信号，常见于音频放大器、ADC/DAC前端接口以及传感器信号调理电路中。其X7R特性保证了在不同环境温度下电容值不会剧烈漂移，有助于维持系统增益和频率响应的一致性。
　　在数字系统中，尤其是在FPGA、MCU、DSP等复杂芯片的外围电路中，CL31B105JAHNNWE常与其他小容值电容（如0.1μF、0.01μF）并联使用，形成多级去耦网络，覆盖更宽的频率响应范围。0805封装在提供足够机械强度的同时兼顾布板密度，适合高集成度PCB设计。
　　此外，该器件还适用于工业控制、消费类电子（如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备）、网络通信设备（路由器、交换机）、电源适配器及LED驱动电源等领域。因其无磁性、低损耗和高可靠性的特点，也可用于医疗电子和测试测量仪器中对稳定性要求较高的场合。

GRM21BR71H105KA01L
　　TC-31B105JARN-W
　　C2012X7R1H105K
　　CL21B105KAFNNNE
　　EMK212B71H105KG-T