时间：2025/11/12 21:46:13
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CL31B104KBPWPNE是三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于C0G（NP0）电介质系列，具有出色的电容稳定性、低损耗和几乎为零的电容随温度、电压和时间的变化。此型号采用标准的0603（1608公制）封装尺寸，适用于高可靠性及高性能模拟电路设计。CL31B104KBPWPNE广泛应用于射频（RF）电路、定时电路、滤波器、振荡器以及需要精密电容值的去耦和旁路场合。由于其优异的电气性能，该电容器常被用于通信设备、工业控制系统、医疗电子设备和汽车电子中。该产品符合RoHS指令，支持无铅焊接工艺，并具备良好的抗热冲击能力，适合回流焊工艺。此外，三星的CL系列MLCC在制造过程中执行严格的品质控制，确保批次间的一致性和长期可靠性。
电容值：0.1μF
容差：±10%
额定电压：50V
电介质类型：C0G（NP0）
封装尺寸：0603（1.6 x 0.8 mm）
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
温度系数：0 ±30ppm/°C
绝缘电阻：≥4 GΩ·μF 或 ≥100 GΩ（取较小值）
最大厚度：0.95mm
端接类型：镍障层/锡外涂层（Ni-Sn）
耐焊接热性：通过JEDEC J-STD-020认证
电容稳定性：Class I（C0G），非压电性
ESR（等效串联电阻）：典型值 < 10mΩ（在1MHz下）
ESL（等效串联电感）：典型值约 0.3nH
CL31B104KBPWPNE所采用的C0G（NP0）电介质材料是一种基于氧化镁钛酸盐的稳定陶瓷配方，具有极佳的温度稳定性，其电容值在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）变化不超过±30ppm/°C，远优于X7R、X5R等二类电介质。这种稳定性使其非常适合用于对频率响应敏感的应用，如LC谐振电路、PLL环路滤波器和高Q值滤波器。由于C0G材料是非铁电性的，因此不会出现直流偏置导致的电容下降现象——即使在接近额定电压下工作，电容值也基本保持不变。
该电容器的介质损耗极低，典型的耗散因数（DF）小于0.1%，这有助于减少高频下的能量损耗，提升系统效率并降低温升。同时，其高绝缘电阻特性（通常大于100GΩ）使得漏电流极小，适用于高阻抗模拟节点，例如运算放大器输入端或采样保持电路中的保持电容。在高频性能方面，由于0603封装本身具有较低的寄生电感和电阻，CL31B104KBPWPNE可在高达数百MHz甚至GHz级别仍保持良好的阻抗特性，适合作为射频匹配网络中的关键元件。
机械结构上，该MLCC采用多层堆叠工艺，在保证小型化的同时提供可靠的电气连接。端电极为双层金属化结构（内层镍作为阻挡层，外层锡用于可焊性），兼容主流SMT贴片工艺，并可通过无铅回流焊（峰值温度可达260°C）而不开裂或退化。产品经过严格的寿命测试和环境应力筛选，具备良好的抗湿性与抗老化能力。此外，三星在生产中实施AEC-Q200标准的部分要求，提升了产品在严苛环境下的适用性，尤其适合工业级和部分汽车电子应用。
CL31B104KBPWPNE因其卓越的稳定性与低损耗特性，广泛应用于各类高性能电子系统中。在射频与无线通信领域，它常用于Wi-Fi模块、蓝牙收发器、蜂窝基站前端电路以及GPS天线匹配网络中，作为耦合、旁路或谐振电容使用，确保信号完整性与频率精度。在精密模拟电路中，该器件适用于有源滤波器、ADC/DAC参考电压旁路、仪表放大器输入保护以及音频路径的交流耦合，有效避免因电容漂移引起的失真或增益误差。
在时钟与定时电路中，该电容器常与晶体振荡器配合使用，提供稳定的负载电容，保障频率输出的准确性与长期稳定性，常见于微控制器单元（MCU）、FPGA配置时钟和实时时钟（RTC）模块中。此外，在电源管理设计中，尽管其容量相对较小，但仍可用于低噪声LDO稳压器的输入/输出端进行高频去耦，抑制开关噪声干扰，提高电源纯净度。
工业自动化设备中，该电容用于传感器信号调理电路、数据采集系统前端和PLC模拟量输入模块，以确保测量精度不受温度波动影响。在汽车电子方面，虽然未明确标注为AEC-Q200认证，但其宽温范围和高可靠性使其适用于信息娱乐系统、车载导航和辅助驾驶系统的非动力域电路。医疗电子设备如便携式监护仪、超声探头接口等也采用此类电容，满足安全与精度双重需求。总之，凡是对电容稳定性、噪声控制和长期可靠性有较高要求的场景，CL31B104KBPWPNE都是理想选择。
GRM188R71E104KA01D
CC0603J104K5RACTU
C1608C0G1E104J080AB
EMK107BBJ104KA-L
CL21B104KBPCNNNE
RC0603FR-07100KL
