电容值：4.7μF
　　容差：±20%
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：X5R（-55°C 至 +85°C，ΔC/C ≤ ±15%）
　　封装尺寸：0805（2.0mm × 1.25mm）
　　电极结构：Ni-barrier（抗硫化设计）
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　介质材料：陶瓷（Class II, BaTiO3基）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　高度：≤1.25mm
　　端接：镍/锡镀层
　　符合标准：RoHS、REACH

CL31A475MOHNNNE 具备出色的电性能稳定性与机械可靠性，其核心特性之一是采用了X5R类陶瓷介质材料，这种材料基于钛酸钡（BaTiO3）配方优化而成，能够在宽温度范围内维持电容值的变化不超过±15%，这对于确保电路在不同环境温度下正常运行至关重要。相较于Z5U或Y5V等类别，X5R在温度稳定性方面表现更优，因此更适合用于对电容稳定性有一定要求的应用场景。该电容器的额定电压为50V DC，意味着在长期使用过程中可安全承受最高50V的直流偏置电压，同时在实际应用中应考虑一定的电压降额以提升寿命和可靠性。
　　该器件采用0805小型化封装，兼顾了空间利用率与焊接可靠性，适合高密度PCB布局。其内部采用多层叠膜工艺，通过精密印刷内电极并高温共烧形成数百至上千层陶瓷-电极交替结构，从而实现大容量小型化。值得注意的是，陶瓷电容器存在直流偏压效应，即随着施加直流电压的增加，有效电容值会下降。对于CL31A475MOHNNNE而言，在接近50V偏压时，实际可用电容可能显著低于标称4.7μF，设计时需参考厂商提供的直流偏压曲线进行补偿。
　　Ni-barrier电极结构是三星MLCC的重要技术特征，外层为铜或银-钯，中间设置镍阻挡层，防止外部硫元素渗透导致内电极氧化失效，极大提升了产品在高湿、含硫工业环境中的耐久性。此外，该器件具备良好的高频响应特性，虽不如C0G/NP0型电容，但在多数开关电源频率范围内仍能提供有效的去耦作用。整体结构致密，机械强度高，抗热冲击能力强，可适应回流焊工艺，并通过了AEC-Q200等可靠性认证的部分测试项目，适用于严苛环境下的长期运行。

CL31A475MOHNNNE 广泛应用于各类需要中高压、中大容量去耦与滤波功能的电子系统中。在电源管理电路中，它常被用作DC-DC转换器的输入和输出滤波电容，能够有效平滑开关噪声，降低电压纹波，提高电源输出质量。特别是在负载瞬变响应过程中，足够的储能容量有助于维持母线电压稳定，避免系统复位或误动作。在嵌入式系统、微控制器单元（MCU）、FPGA及ASIC供电网络中，该电容也常作为局部旁路元件，吸收高频干扰，减少电源阻抗，保障数字逻辑电路的稳定运行。
　　在工业控制设备中，如PLC模块、传感器信号调理电路、人机界面（HMI）等，CL31A475MOHNNNE 可用于电源轨的噪声抑制和能量缓冲，提升系统的抗干扰能力与电磁兼容性（EMC）。在通信基础设施领域，包括路由器、交换机、基站射频模块等设备中，该电容可用于辅助电源滤波、时钟电路去耦以及接口保护电路中，确保高速信号传输的完整性。
　　此外，该器件还适用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、智能家电中的电源子系统；在汽车电子中，虽然未明确标注符合AEC-Q200全部要求，但其抗硫化设计使其可在非动力域的车身电子、信息娱乐系统中谨慎使用。其他应用场景还包括LED驱动电源、便携式医疗设备、仪器仪表等对可靠性和稳定性有较高要求的场合。总之，凭借其合理的性价比、稳定的性能和良好的环境适应性，CL31A475MOHNNNE 成为众多中高端电子设计中的常用被动元件之一。

GRM21BR71H475KA01L
　　 C2012X5R1H475K
　　 CL21A475KOQNNNE
　　 EMK212BJ475MG-T