时间：2025/7/8 18:26:36
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CL31A475KAHN4WE 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的 N 沃特定向功率 MOSFET，采用 TO-263 封装。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动器、DC/DC 转换器和负载开关等应用中。其高效率和低导通电阻特性使得它在功率管理领域具有卓越的性能表现。
最大漏源电压：60V
最大连续漏电流：58A
最大栅极源极电压：±20V
导通电阻（典型值）：4.7mΩ
栅极电荷（典型值）：93nC
反向恢复时间：10ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
CL31A475KAHN4WE 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了高效能转换，减少了功率损耗。
2. 高电流承载能力使其能够适应多种高功率应用场景。
3. 快速开关速度和较低的栅极电荷减少了开关损耗，从而提升了系统效率。
4. TO-263 封装设计提供了良好的散热性能，适合长时间运行的应用环境。
5. 宽泛的工作温度范围确保其能够在各种极端条件下稳定运行。
6. 内置保护功能可防止过压和过流对芯片造成损害。
CL31A475KAHN4WE 的主要应用领域包括：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC/DC 转换器中的主开关元件。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动器。
4. 汽车电子设备中的负载切换和电池管理系统。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 通信设备中的电源管理和信号调节单元。
IRFZ44N
STP55NF06L
FDP55N06L
