CL31A226MQHNNXE 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率转换芯片,专为高频率、高效率应用设计。该芯片采用先进的封装工艺和电路设计,能够在高频开关条件下保持较低的开关损耗,同时提供出色的散热性能。
这款器件广泛应用于快充适配器、无线充电器、DC-DC 转换器等场景,适合需要高性能和小尺寸解决方案的应用场合。
型号:CL31A226MQHNNXE
类型:功率晶体管
材料:氮化镓(GaN)
额定电压:650V
额定电流:12A
导通电阻:120mΩ
封装形式:QFN 8x8mm
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
最大栅极电压:6V
开关频率:最高支持 2MHz
CL31A226MQHNNXE 具有以下主要特性:
1. 高效的氮化镓技术,能够显著降低开关损耗和导通损耗。
2. 支持高达 2MHz 的开关频率,使得设计可以使用更小的磁性元件。
3. 内置多重保护功能,包括过流保护、过温保护和短路保护。
4. 封装体积紧凑,有助于减少整体解决方案的尺寸。
5. 极低的寄生电感和电容,提升了高频下的稳定性与效率。
6. 符合 RoHS 标准,确保环保合规性。
这些特性使其成为高密度功率转换应用的理想选择。
CL31A226MQHNNXE 主要应用于以下领域:
1. USB PD 快速充电器和适配器
2. 无线充电发射端模块
3. 小型化 DC-DC 转换器
4. 消费类电子设备中的电源管理
5. 工业用高效率开关电源
6. LED 驱动器及照明系统
7. 可穿戴设备和其他便携式电子产品的电源解决方案
其高效的特性和小型化的封装使它非常适合现代电子产品对高功率密度的需求。
CL31A226MQHNNXG, CL31A226MQHNNE