品牌：Samsung Electro-Mechanics
　　产品类型：陶瓷电容器
　　封装/尺寸：0805（2012）
　　电容：7.5pF
　　容差：±0.1pF
　　额定电压：50V
　　介质材料：C0G（NP0）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　温度特性：±30ppm/°C
　　产品等级：工业级
　　包装方式：卷带包装
　　端接类型：镍阻挡层/锡电镀
　　老化率：≤±0.1% / decade
　　绝缘电阻：≥100GΩ 或 C·V ≥ 5000MΩ·μF（取较小值）
　　最大交流测试电压：15V RMS（1kHz）
　　耐湿性：满足IEC 60068-2-30标准
　　可焊性：符合IEC 60068-2-20标准

CL21C7R5DBANNNC所采用的C0G（NP0）陶瓷介质是目前最稳定的电容器介质之一，能够在整个工作温度范围内保持极其稳定的电容值，几乎不受温度变化的影响。其温度系数仅为±30ppm/°C，在-55°C至+125°C范围内电容变化不超过±0.5%，这对于需要精确频率控制的振荡器、滤波器和定时电路至关重要。这种稳定性使得它在射频（RF）匹配网络、谐振电路和高Q值滤波器中表现出色。此外，由于C0G材料是非铁电性的，因此不存在电压系数效应，即电容值不会随着施加电压的变化而改变，避免了非线性失真问题。
　　该电容器具有优异的长期稳定性与低老化率，电容值随时间推移的变化极小，通常小于±0.1%每十年，确保了产品在整个生命周期内的性能一致性。其高绝缘电阻（≥100GΩ）和低漏电流特性使其非常适合用于高阻抗模拟电路和采样保持电路中。同时，50V的额定电压提供了足够的安全裕度，适用于多种电源轨和信号线路的去耦应用。
　　CL21C7R5DBANNNC还具备出色的机械强度和抗热冲击能力，能够承受多次回流焊过程而不损坏。其端电极为镍阻挡层加锡电镀结构，增强了焊接可靠性和耐腐蚀性，支持无铅焊接工艺，符合现代绿色制造的要求。整体结构致密，体积小巧，在有限的PCB空间内实现高性能表现，是高频、高温和高可靠性应用场景下的理想选择。

该电容器广泛应用于对电容稳定性要求极高的高频模拟电路中。典型的应用包括射频前端模块中的阻抗匹配网络，如在Wi-Fi、蓝牙、ZigBee和蜂窝通信系统中用于天线调谐和功率放大器匹配电路，以确保信号传输的最大效率和最小反射。在LC振荡器和压控振荡器（VCO）电路中，CL21C7R5DBANNNC因其极低的温度漂移和电压系数，有助于维持频率的长期稳定性，减少相位噪声和频率偏移。
　　在高精度滤波器设计中，特别是在带通、低通和高通滤波器中，该电容器用于构建高品质因数（High-Q）的谐振单元，保证滤波特性的一致性和准确性。此外，在时钟生成电路、PLL环路滤波器以及ADC/DAC参考电压去耦路径中，也常使用此类电容来提升系统精度和抗干扰能力。
　　工业控制设备、医疗电子仪器、汽车电子（尤其是信息娱乐系统和ADAS传感器接口）以及航空航天电子系统中，都需要在宽温环境下保持电气性能稳定的元件，因此CL21C7R5DBANNNC也是这些领域的优选器件。同时，由于其符合AEC-Q200标准，具备良好的耐湿性和可焊性，特别适合部署在车载电子和户外通信基站等恶劣环境中长期运行。

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　　 "GRM21BR71H7R5CA01D",
　　 "CC0402JRNPO9BN7R5",
　　 "C1005C0G1H7R5C"
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