时间:2025/11/12 11:47:45
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CL21C4R7BBANNNC是一款由三星电机(Samsung Electro-Mechanics)生产的多层陶瓷电容器(MLCC)。该器件属于CL21系列,采用标准的0805封装尺寸(公制2012),具备良好的尺寸与性能平衡,广泛应用于各类消费电子、通信设备及工业电子产品中。型号中的'4R7'表示其标称电容值为4.7pF,'B'代表额定电压等级,对应于50V直流耐压,而温度系数代码'B'表示该电容器具有稳定的电容特性,适用于需要较小电容变化率的应用场景。该MLCC采用X7R型介电材料,具备在-55°C至+125°C的工作温度范围内保持电容值变化不超过±15%的性能特点,适合在较宽温度范围内稳定工作的电路设计需求。此外,CL21C4R7BBANNNC具有低等效串联电阻(ESR)和低等效串联电感(ESL),使其在高频去耦、滤波和旁路应用中表现出色。由于其无磁性结构和高可靠性,该器件也常用于对电磁干扰敏感的射频(RF)电路和精密模拟电路中。
型号:CL21C4R7BBANNNC
制造商:Samsung Electro-Mechanics
封装/尺寸:0805(2012)
电容值:4.7pF
容差:±0.1pF
额定电压:50V DC
介电材料:X7R
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
温度特性:±15%
产品系列:CL21
安装类型:表面贴装(SMD)
层数:多层陶瓷结构
端接:镍阻挡层/锡镀层(Ni-Sn)
无铅/符合RoHS:是
CL21C4R7BBANNNC采用先进的多层陶瓷制造工艺,确保了在小尺寸下实现高电容稳定性与可靠的电气性能。其X7R介电材料提供了优异的温度稳定性,在-55°C到+125°C的整个工作温度范围内,电容值的变化控制在±15%以内,这使得它非常适合用于对电容漂移敏感的振荡电路、滤波器和定时电路中。该电容器的0805封装形式在空间受限的设计中提供了良好的焊接可靠性和机械强度,同时便于自动化贴片生产,提升了大规模制造的效率。器件具有低等效串联电阻(ESR)和低等效串联电感(ESL),从而在高频应用中表现出较低的阻抗特性,有效提升电源去耦和噪声抑制能力。此外,其镍锡(Ni-Sn)端电极结构不仅增强了可焊性,还提高了抗湿性和长期可靠性,防止因环境应力导致的性能退化。CL21系列电容器经过严格的可靠性测试,包括高温高湿偏压(H3TRB)、温度循环(TCT)和耐焊接热测试,确保在恶劣环境下的长期稳定运行。该器件不含铅,符合RoHS环保要求,适用于绿色电子产品设计。由于其小型化、高性能和高一致性的特点,CL21C4R7BBANNNC被广泛应用于移动通信设备、无线模块、电源管理单元以及各种模拟信号调理电路中。
此外,该MLCC在高频性能方面表现优异,能够在GHz级别的射频电路中作为耦合、匹配或旁路元件使用。其稳定的电容值和低损耗因子(tanδ)有助于减少信号失真和能量损耗,提高系统整体效率。对于需要高精度电容值的应用,如PLL环路滤波器或LC谐振电路,该器件的容差控制在±0.1pF以内,能够满足严苛的设计要求。同时,其50V的额定电压提供了足够的安全裕度,适用于大多数低压直流电路环境。综合来看,CL21C4R7BBANNNC是一款兼具高性能、高可靠性和良好工艺兼容性的多层陶瓷电容器,是现代电子设计中理想的高频、高稳定性电容解决方案。
CL21C4R7BBANNNC广泛应用于各类高性能电子设备中。在消费类电子产品中,常用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备的电源去耦、信号滤波和射频匹配电路。由于其优良的高频特性和温度稳定性,该器件特别适合用作射频前端模块(RF FEM)中的旁路电容或阻抗匹配元件,帮助提升无线通信性能。在通信基础设施领域,如基站、光模块和路由器中,该电容器可用于高速数据线路的噪声抑制和信号完整性优化。此外,在工业控制和汽车电子系统中,该器件也被用于传感器接口电路、ADC/DAC参考电压滤波以及微控制器电源引脚的局部去耦,以增强系统的抗干扰能力和稳定性。由于其符合AEC-Q200标准的部分可靠性要求(视具体批次而定),部分应用场景也可延伸至车载信息娱乐系统或辅助驾驶模块中。在医疗电子设备中,因其低漏电流和高绝缘电阻特性,可用于精密测量仪器的模拟前端滤波。同时,在电源管理系统中,该MLCC可用于DC-DC转换器的输入/输出滤波,协助平滑电压波动并降低纹波噪声。得益于其小型化设计和高可靠性,CL21C4R7BBANNNC也成为无人机、物联网节点和智能家居设备中常用的被动元件之一。总之,该器件适用于所有需要稳定电容值、良好高频响应和宽温工作能力的电子电路设计场景。
GRM21BR71H470KA01L
CC0805KRX7R9BB470
RC0805FR-074R7BL