时间：2025/11/12 11:16:26
阅读：9
CL21C3R6CBANNNC 是由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于通用型贴片电容，广泛应用于各类电子电路中，用于去耦、滤波、旁路和信号耦合等场景。其封装尺寸为0805（英制），即公制约2.0mm x 1.25mm，适用于自动化贴片生产工艺。该型号电容的标称电容值为3.6pF，属于小容量电容器，通常用于高频电路设计中，如射频（RF）匹配网络、振荡器和谐振电路等。CL21系列具有良好的温度稳定性和可靠性，符合工业级应用标准，并满足RoHS环保要求。其介质材料为C0G（NP0）类型，具备极低的电容随温度、电压和时间的变化率，确保在严苛工作条件下仍能维持稳定的电气性能。此外，该器件具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有助于提升高频响应特性，减少噪声干扰。
制造商：Samsung Electro-Mechanics
产品类别：多层陶瓷电容器（MLCC）
电容：3.6pF
容差：±0.25pF
额定电压：50V DC
温度特性：C0G（NP0）
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
封装/外壳：0805（2012 公制）
介质材料：C0G（NP0）
安装类型：表面贴装（SMD）
层数结构：高可靠性多层设计
端接类型：镍/锡（Ni/Sn）
CL21C3R6CBANNNC 采用 C0G（NP0）陶瓷介质，具备出色的温度稳定性，其电容值在 -55°C 至 +125°C 的整个工作温度范围内变化不超过 ±30ppm/°C，几乎不受温度波动影响，非常适合对频率稳定性要求极高的应用场景，例如射频发射与接收模块、时钟振荡电路以及精密滤波网络。该电容器的容差控制在 ±0.25pF，表现出优异的制造精度，能够满足高频匹配电路中对元件参数一致性要求较高的需求。其额定电压为50V DC，在低压高频系统中提供了足够的安全裕度，同时避免了因电压降额带来的性能损失。由于采用多层陶瓷结构和先进的叠层工艺，该器件具有极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），显著提升了高频下的阻抗特性，有效抑制高频噪声并增强电源完整性。此外，该电容具备良好的耐湿性和机械强度，经过严格的可靠性测试，包括高温存储、温度循环和耐焊接热测试，确保在回流焊过程中不会出现开裂或性能劣化。其表面端电极为镍/锡镀层，兼容无铅焊接工艺，符合现代绿色电子制造标准。整体结构致密，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，尤其适用于通信设备、消费类电子产品、汽车电子及工业控制系统中的高频模拟前端设计。
该型号不具备极性，使用方便，且在长时间运行中电容衰减极小，寿命长，维护成本低。其稳定的电气特性和高可靠性使其成为替代传统插装电容的理想选择，广泛用于取代早期使用的云母电容或薄膜电容，在保持高性能的同时大幅缩小电路空间占用。
CL21C3R6CBANNNC 主要应用于高频模拟电路和射频系统中，典型用途包括无线通信模块中的阻抗匹配网络，如Wi-Fi、蓝牙、ZigBee和蜂窝通信设备的天线调谐电路；作为LC谐振电路中的固定电容元件，配合电感实现特定频率的选频功能；用于晶体振荡器或SAW滤波器周边电路中以微调频率响应；在高速数字系统的时钟布线路径上进行去耦和信号完整性优化；也可用作高速放大器反馈环路中的相位补偿电容。此外，该器件常见于测试测量仪器、医疗电子设备、航空航天电子系统以及汽车雷达和车载通信单元中，承担关键的信号处理任务。由于其优异的温度稳定性和低损耗特性，也适合用于精密模拟前端、传感器接口电路和锁相环（PLL）电路中。
GRM21BR71H3R6BA01L, CC0805JRNPO9BN3R6, C2012X5R1H3R6B
