时间：2025/11/12 11:17:36
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CL21C2R2BBANNNC是一款由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于小型表面贴装电容器，广泛应用于各类电子设备中，特别是在需要高稳定性和可靠性的电路设计中表现优异。CL21C2R2BBANNNC采用X7R电介质材料，具备良好的温度稳定性，能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持电容值变化不超过±15%。其额定电容为2.2pF，额定电压为50V DC，适用于高频、射频以及去耦、滤波和旁路等应用场景。该器件封装尺寸为0603（英制），即公制代码2012，具有较小的体积和较高的集成度，适合高密度PCB布局。CL21C2R2BBANNNC符合RoHS环保要求，并通过了AEC-Q200等可靠性认证，适用于消费电子、通信设备、汽车电子和工业控制等多种领域。由于其稳定的电气性能和良好的高频响应特性，该电容器在射频匹配网络、振荡电路和信号耦合等高频电路中被广泛采用。
电容：2.2pF
容差：±0.1pF
额定电压：50V DC
电介质材料：X7R
温度特性：-55°C 至 +125°C，电容变化≤±15%
封装尺寸：0603（2012公制）
温度系数：±15%
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
直流偏压特性：在额定电压下电容下降率较低
绝缘电阻：≥1000MΩ 或 C×V ≥ 10000MΩ·μF
耐湿性：符合IEC 60068-2-67标准
可焊性：符合IEC 60068-2-20标准
机械强度：抗弯曲、抗热冲击能力强
CL21C2R2BBANNNC所采用的X7R电介质材料赋予了其出色的温度稳定性，使其在-55°C到+125°C的宽温范围内能够维持电容值的变化在±15%以内，这使得它非常适合用于对温度敏感的应用场景，如射频前端模块、时钟振荡电路和精密滤波器中。此外，该电容器的高绝缘电阻和低漏电流特性确保了在长时间运行下的稳定性和可靠性，减少了因漏电导致的信号失真或功耗增加问题。
其0603小型化封装不仅节省了PCB空间，还支持自动化贴片工艺，提高了生产效率和产品一致性。该器件经过优化设计，具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而在高频应用中表现出优异的阻抗特性，有效提升去耦和滤波效果。同时，在直流偏压作用下，CL21C2R2BBANNNC相较于其他同类产品表现出更小的电容衰减，保证了在实际工作电压下的有效电容值。
该电容器具备良好的抗湿性和可焊性，符合国际环境与可靠性测试标准，能够在回流焊过程中承受多次热循环而不损坏。其结构设计也增强了抗机械应力能力，减少因PCB弯曲或振动引起的开裂风险，提升了整体系统可靠性。此外，CL21C2R2BBANNNC符合无铅焊接工艺要求，满足现代电子产品对环保和绿色制造的需求，适用于自动化SMT生产线，广泛用于智能手机、无线模块、电源管理单元和汽车电子控制系统中。
CL21C2R2BBANNNC因其稳定的电气性能和小型化封装，被广泛应用于多种电子系统中。在射频和无线通信领域，常用于RF匹配网络、天线调谐电路和低噪声放大器输入端的耦合与滤波，确保信号传输的完整性与高效性。在高速数字电路中，该电容器可用于电源去耦，抑制高频噪声，稳定供电电压，提高系统的抗干扰能力。
在精密模拟电路中，例如运算放大器、ADC/DAC参考电压旁路等场合，其低容差和高稳定性有助于减少信号漂移和误差累积。此外，在时钟发生电路中，如晶体振荡器的负载电容配置，CL21C2R2BBANNNC可提供精确且稳定的电容值，保障频率精度和长期稳定性。
在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，该器件用于高频信号路径中的滤波和阻抗匹配；在汽车电子中，应用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和ECU电源管理部分，满足严苛的工作环境要求。工业控制和医疗设备中也常见其身影，用于信号调理、数据采集和电源滤波等关键环节，体现出其高可靠性和广泛应用适应性。
GRM188R71H2R2CA01D
CC0603JRNPO9BN2R2
GCM188R71H2R2CA01D
CL21A2R2BBANNNC
CL21B2R2BBANNNC
