时间：2025/11/13 19:23:00
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CL21C272JBFNNNE是三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于C0G/NP0温度特性的高稳定性电容器系列，广泛应用于需要高精度、低损耗和温度稳定性的电子电路中。CL21是其尺寸代码，代表该电容器的封装尺寸为0805（英制），即2.0mm x 1.25mm。该型号电容器采用标准的卷带包装，适用于自动化贴片生产工艺，常见于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。C0G（或NP0）介质材料具有极佳的温度稳定性，其电容值在-55°C至+125°C的工作温度范围内几乎不随温度变化，同时具备极低的介电损耗和优异的频率响应特性，因此特别适合用于振荡器、滤波器、定时电路以及对信号完整性要求较高的模拟电路中。
型号：CL21C272JBFNNNE
制造商：Samsung Electro-Mechanics
类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
电容值：2700pF (2.7nF)
容差：±5% (J)
额定电压：50V
温度特性：C0G (NP0)
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
封装尺寸：0805 (2.0mm x 1.25mm)
介质材料：C0G (NP0)
安装类型：表面贴装（SMD）
产品等级：工业级
CL21C272JBFNNNE采用C0G（也称NP0）陶瓷介质，这是一种Class I型陶瓷材料，具有极其稳定的电气性能。C0G介质的温度系数为0±30ppm/°C，意味着在整个工作温度范围内，电容值的变化微乎其微，几乎可以忽略不计，这使得该器件非常适合用于对频率稳定性要求极高的应用场景，如LC谐振电路、射频匹配网络和高精度定时电路。此外，C0G介质不表现出直流偏压依赖性，即在施加直流电压时电容值不会下降，这一点与X7R、X5R等Class II介质有显著区别。该电容器还具有极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而确保了其在高频下的优良表现，能够有效减少信号失真和能量损耗。
该器件的结构设计采用了多层叠膜工艺，通过交替堆叠陶瓷介质与内电极（通常为镍或铜）形成多个并联的电容单元，从而在小尺寸下实现所需的电容量。这种结构不仅提高了单位体积的电容密度，同时也增强了机械强度和热循环可靠性。CL21C272JBFNNNE符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于无铅回流焊工艺。其端电极采用三层电镀结构（EIA标准：Ni/Sn或Cu/Sn），确保良好的可焊性和长期环境耐受性，防止因硫化或湿气侵入导致的失效。此外，该器件具有优异的抗老化性能，电容值不会随时间推移而发生明显衰减，保证了系统长期运行的稳定性。
CL21C272JBFNNNE因其高稳定性、低损耗和优异的频率特性，被广泛应用于各种高性能电子电路中。在射频（RF）电路中，它常用于LC调谐电路、阻抗匹配网络和带通滤波器，以确保信号传输的精确性和高效性。在时钟和振荡电路中，该电容器可用于晶体振荡器的负载电容配置，提供稳定的相位特性和频率响应。在精密模拟电路中，如运算放大器反馈网络、有源滤波器和ADC/DAC参考电压旁路，其稳定的电容值有助于提高系统的线性度和测量精度。此外，由于其良好的温度稳定性和可靠性，该器件也被用于工业控制系统、医疗电子设备、测试测量仪器以及汽车电子中的传感器信号调理模块。在电源管理电路中，尽管其容量相对较小，但仍可用于高频去耦和噪声抑制，特别是在对噪声敏感的模拟供电节点上。
GRM21BR71H272KA01L, C2012X5R1H272K,Z
