时间：2025/11/14 9:07:49
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CL21C222JBFNNNF 是一款由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的多层陶瓷电容器（MLCC，Multi-Layer Ceramic Capacitor）。该器件属于X7R电介质系列，具有稳定的电气性能和较宽的工作温度范围，适用于多种工业、消费类电子以及通信设备中的去耦、滤波和旁路应用。CL21C222JBFNNNF 采用标准的0805（公制2012）封装尺寸，额定电容为2.2nF（即2200pF），额定电压为50V DC，电容容差为±5%（代号J），适合在对稳定性要求较高的电路中使用。该型号采用无铅、符合RoHS环保标准的材料制造，具备良好的焊接可靠性和长期稳定性。由于其小型化设计和高可靠性，广泛应用于电源管理模块、DC-DC转换器、信号调理电路以及高频模拟前端等场景。此外，该产品采用卷带包装（tape and reel），便于自动化贴片生产，适用于SMT（表面贴装技术）工艺流程。
电容值：2.2nF
容差：±5%
额定电压：50V DC
电介质类型：X7R
温度特性：±15%（-55°C 至 +125°C）
封装尺寸：0805（2.0mm × 1.25mm）
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
绝缘电阻：≥4000MΩ 或 RC ≥ 1000sec
损耗角正切（tanδ）：≤2.5%
安装方式：表面贴装（SMD）
端接类型：镍阻挡层/锡覆盖（Ni-Sn）
包装形式：卷带包装（Tape & Reel）
CL21C222JBFNNNF 作为三星电机出品的高性能多层陶瓷电容器，具备出色的温度稳定性和长期可靠性。其采用X7R型电介质材料，这种材料在-55°C到+125°C的宽温度范围内能够保持电容值变化不超过±15%，远优于Z5U或Y5V等普通电介质，因此特别适用于需要稳定电容特性的中等精度电路中。该电容器的结构通过精密叠层工艺实现，在微小的0805封装内实现了2.2nF的电容量，满足现代电子产品小型化与高密度集成的需求。
该器件的直流额定电压为50V，使其能够在大多数低压电源系统中安全运行，例如在DC-DC变换器输出端进行滤波时，可有效抑制纹波电压而不发生击穿或老化加速问题。同时，±5%的严格容差确保了批次间的一致性，有利于提升整体系统的可预测性和良品率。
在可靠性方面，CL21C222JBFNNNF 经过严格的环境测试，包括高温高湿偏置试验（H3TRB）、温度循环测试（TCT）和耐焊接热测试，表现出优异的抗湿性、抗裂性和耐久性。其端电极采用三层端子结构（Cu-Ni-Sn），不仅增强了机械强度，还提高了与PCB之间的焊接牢固度，减少了因热应力导致的开裂风险。
此外，该产品完全符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，支持绿色环保制造。由于其低ESR（等效串联电阻）和良好的频率响应特性，它也常被用于高速数字电路的去耦应用中，为IC提供瞬态电流支持并降低电源噪声。总体而言，CL21C222JBFNNNF 是一款兼顾性能、尺寸与可靠性的通用型MLCC，适用于各类对稳定性有中高等要求的应用场景。
CL21C222JBFNNNF 广泛应用于多种电子系统中，尤其适合作为去耦电容、旁路电容和滤波元件使用。在电源管理系统中，它常被放置于DC-DC转换器、LDO稳压器的输入与输出端，用于平滑电压波动并减少高频噪声干扰。其50V额定电压使其适用于24V及以下工业控制系统的电源轨保护。
在模拟信号链路中，该电容器可用于RC滤波网络、积分器或定时电路，配合运算放大器构建稳定的信号处理前端。由于X7R介质的非线性特性低于Y5V/Z5U，因此在对失真敏感的应用中更具优势。
在通信设备中，如路由器、交换机和基站模块中，该型号可用于接口保护电路和EMI滤波电路，提升系统抗干扰能力。同时，因其良好的高频响应表现，也可用于高速数字IC（如FPGA、MCU、ASIC）的电源引脚附近，作为局部储能元件以应对快速开关引起的瞬态电流需求。
此外，该器件还常见于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、智能家居控制器和可穿戴设备中，承担去耦和噪声抑制功能。在汽车电子领域，尽管未达到车规级AEC-Q200认证，但仍可用于部分非关键车载模块，如信息娱乐系统或车内照明控制单元。总之，CL21C222JBFNNNF 凭借其稳定的电气性能和成熟的制造工艺，成为众多电子设计中的首选基础元件之一。
GRM21BR71H222KA93L
C2012X7R1H222K
CL21A222KBPNNPC
