时间：2025/11/13 19:32:02
阅读：17
CL21C150JBANFNC是一款由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于C系列，具有高可靠性、小尺寸和优异的电气性能，广泛应用于各类电子设备中。CL21C150JBANFNC采用0805（2012公制）封装尺寸，额定电容为15pF，电容容差为±5%（代号J），额定电压为50V。该产品使用NP0（C0G）温度补偿型陶瓷介质材料，具备极佳的温度稳定性和低损耗特性，适用于对频率稳定性要求较高的电路环境。由于其出色的电气特性和长期稳定性，CL21C150JBANFNC常用于射频（RF）电路、振荡器、滤波器、定时电路以及精密模拟电路中。该型号符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，并在高温高湿环境下表现出良好的耐久性。作为一款工业级MLCC，它在自动化生产中具备优良的可贴装性与回流焊兼容性，适合表面贴装技术（SMT）批量制造。
制造商：Samsung Electro-Mechanics
产品类别：多层陶瓷电容器（MLCC）
电容：15 pF
容差：±5%
额定电压：50 V
温度特性：NP0 / C0G
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
封装/外壳：0805（2012 公制）
介质材料：陶瓷（NP0/C0G）
安装类型：表面贴装（SMD）
高度：约 1.25 mm
长度：2.0 mm
宽度：1.25 mm
老化率：0%/decade
绝缘电阻：≥100 GΩ·μF
ESR（等效串联电阻）：极低
自谐振频率（SRF）：典型值约 3.5 GHz
CL21C150JBANFNC所采用的NP0（也称C0G）陶瓷介质材料赋予了其卓越的温度稳定性，其电容值在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）的变化不超过±30ppm/°C，确保在极端温度条件下仍能维持精确的电容性能。这种几乎为零的温度系数使其非常适合用于高精度模拟电路和高频应用，如LC振荡器、相位锁定环（PLL）、射频匹配网络和带通滤波器等。此外，该电容器的电容值不随施加电压变化而发生显著偏移，表现出理想的线性响应特性，这与X7R或Y5V类介质材料存在明显优势。
该器件具有极低的介质损耗（tanδ通常低于0.1%），从而减少了信号传输过程中的能量损失，提升了电路效率。同时，其高绝缘电阻（≥100GΩ·μF）和极低的老化速率（理论上为0%每十年）保证了长期使用的可靠性与稳定性。在高频工作状态下，CL21C150JBANFNC拥有较高的自谐振频率（SRF），通常可达3.5GHz以上，使其在GHz级别的射频设计中依然保持良好的旁路和去耦能力。结构上，该MLCC采用多层交错电极设计，有效降低了等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），进一步增强了其高频响应性能。
CL21C150JBANFNC还具备出色的抗湿性和机械强度，通过了严格的环境测试，包括高温高湿偏压（H3TRB）试验，可在恶劣环境中长期稳定运行。其端电极采用镍阻挡层和锡覆盖结构（Ni/Sn电极），支持无铅回流焊工艺，符合现代绿色电子制造的要求。此外，该器件在自动化贴片过程中表现出良好的共面性和可焊性，有助于提升生产良率。总体而言，这款电容器是追求高性能、高稳定性和高可靠性的电子系统中的理想选择，尤其适用于通信设备、医疗仪器、测试测量装置及航空航天电子等领域。
CL21C150JBANFNC因其优异的电气稳定性和高频特性，被广泛应用于对电容精度和温度稳定性要求较高的场景。常见用途包括射频收发模块中的阻抗匹配网络、参考振荡器电路（如TCXO、VCXO中用于频率微调）、带通滤波器和陷波器设计、精密定时电路以及高速数据转换器的基准缓冲电路。此外，在无线通信系统（如Wi-Fi、蓝牙、ZigBee模块）、光纤网络设备、雷达系统和卫星通信前端电路中，该电容器常用于去耦、滤波和信号耦合功能，以确保高频信号路径的完整性。其低损耗和高Q值特性也使其成为高性能放大器和低噪声放大器（LNA）输入输出匹配网络的理想元件。在工业控制、汽车电子（非动力总成部分）以及测试与测量仪器中，该器件同样发挥着关键作用，特别是在需要长期稳定运行且不受环境温度波动影响的场合。另外，由于其符合环保标准并支持SMT工艺，因此非常适合大规模自动化生产和高密度PCB布局的应用需求。
GRM21BR71H150KA93
CC0805JRNPO9BN150
C2012C0G1H150J
EMK212BJ150JV-T
