时间：2025/11/12 19:06:48
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CL21B684JOFNNNE是三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的一款多层陶瓷贴片电容（MLCC），广泛应用于各类电子设备中。该器件采用标准的0805封装尺寸（公制2012），具备较高的电容密度和良好的电气性能，适用于去耦、滤波、旁路和信号耦合等电路功能。其命名遵循三星MLCC的型号规则：CL代表陶瓷电容，21对应0805封装（英制），B表示额定电压为50V，684表示电容值为68×10? pF（即680nF或0.68μF），J代表电容精度为±5%，O代表温度特性符合EIA-470标准中的X7R（-55°C至+125°C，电容变化不超过±15%），FNNN为批次与端接材料代码，E通常表示无铅端子且符合RoHS环保要求。该电容采用镍阻挡层电极结构（Ni-barrier），具有较强的抗硫化能力，适合在工业控制、汽车电子、通信模块等复杂环境中稳定运行。
电容值：680nF (0.68μF)
容差：±5%
额定电压：50V DC
温度特性：X7R (EIA-470)
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
封装尺寸：0805 (2.0mm × 1.25mm)
介质材料：陶瓷（Class II, X7R）
端接类型：镍阻挡层（Ni-barrier），无铅兼容
RoHS合规性：符合
电极结构：多层陶瓷（MLCC）
CL21B684JOFNNNE作为一款高性能X7R类多层陶瓷电容器，具备优异的温度稳定性与电压耐受能力。其核心介质材料为II类铁电陶瓷，能够在宽温范围内保持电容值的相对稳定，具体表现为在-55°C到+125°C之间电容变化不超过±15%，这使其适用于对温度敏感的应用场景。相比Y5V等低稳定性介质，X7R材料在非线性电容变化方面表现更佳，尤其在偏置电压作用下仍能维持较高有效电容。该器件额定电压为50V DC，在实际应用中建议工作电压不超过其额定值的80%，以确保长期可靠性。此外，其±5%的容差优于常见的±10%或±20%产品，有助于提升电路设计精度。
该电容采用0805小型化表面贴装封装，便于自动化贴片生产，同时在体积与电气性能之间取得良好平衡。其内部采用镍阻挡层电极技术（Ni-barrier），显著提升了抗电迁移和抗硫化能力，特别适用于高湿、含硫气体环境下的工业与汽车应用，可有效防止因电极腐蚀导致的开路失效。这种结构还增强了焊接可靠性，减少热循环引起的裂纹风险。
CL21B684JOFNNNE符合RoHS指令要求，不含铅及其他有害物质，支持绿色环保制造。其多层结构设计提供了较低的等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），适合高频去耦和噪声滤除应用。尽管X7R材料存在一定的直流偏压效应——即施加电压后实际电容会有所下降，但在多数中等电压去耦场合仍表现出良好性能。综合来看，该器件在成本、尺寸、可靠性和性能之间实现了优化，是现代电子系统中电源管理单元、模拟前端和数字接口电路的理想选择之一。
CL21B684JOFNNNE广泛应用于需要中等电容值与高稳定性的电子系统中。典型用途包括开关电源（SMPS）中的输入输出滤波电容，用于平滑电压波动并抑制高频噪声；在DC-DC转换器中作为旁路电容，为芯片提供瞬态电流支持，降低电源阻抗。由于其具备良好的频率响应特性和适中的ESR/ESL，也常用于模拟信号链中的耦合与去耦，如音频放大器、传感器信号调理电路等。
在通信设备中，该电容可用于接口保护电路或EMI滤波网络，帮助满足电磁兼容性要求。在工业控制系统中，得益于其宽温范围和抗环境应力能力，被大量用于PLC模块、人机界面（HMI）和现场仪表中。汽车电子领域同样广泛应用此类器件，例如车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）和ADAS传感器供电部分，尤其是在非动力总成但需满足AEC-Q200可靠性标准外围电路中。
此外，消费类电子产品如智能手机、平板电脑和智能家居设备中，该型号也常见于电源轨的局部去耦，确保处理器、存储器和其他高速逻辑器件的稳定运行。由于其标准化封装和成熟供应链，CL21B684JOFNNNE也是原型设计和批量生产的优选元件之一。
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"CL21B684KOFNNNE",
"CL21B684MNFNNNE",
"GRM21BR71H684KA01",
"C2012X7R1H684K",
"EMK212BJ684KVHB"
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