时间：2025/11/19 13:59:46
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CL21B683KBNE是一种由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于C0G（NP0）温度补偿类电介质系列，具有优异的稳定性、低损耗和几乎不随温度、电压和时间变化的电容特性。CL21是三星的常规尺寸代码，对应于国际电工委员会（IEC）标准的0805封装尺寸（2.0mm x 1.25mm），适用于表面贴装技术（SMT），广泛应用于高可靠性与高性能要求的电子电路中。该型号标称电容值为68nF（即68000pF），额定电压为50V DC，容差为±10%。由于其采用C0G/NP0介电材料，该电容器在-55°C至+125°C的工作温度范围内，电容变化不超过±30ppm/°C，表现出极佳的频率稳定性和相位稳定性。CL21B683KBNE常用于滤波、耦合、去耦、定时和振荡电路中，尤其适合对信号完整性要求高的模拟电路、射频（RF）模块、精密电源管理单元以及工业级和汽车级电子设备。此外，该产品符合RoHS环保指令要求，无铅且兼容现代回流焊工艺，具备良好的机械强度和抗热冲击能力。
型号：CL21B683KBNE
制造商：Samsung Electro-Mechanics
封装/尺寸：0805 (2.0mm x 1.25mm)
电容值：68nF (68000pF)
容差：±10%
额定电压：50V DC
介电材料：C0G (NP0)
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
温度系数：0 ±30ppm/°C
电容稳定性：高
直流偏压效应：无显著影响
损耗角正切（tanδ）：≤0.0015
绝缘电阻：≥1000MΩ 或 CR ≥ 500Ω·F（取较大者）
耐焊接热：符合IEC 60068-1
端接类型：镍阻挡层 / 锡覆盖（Ni-Sn）
安装方式：表面贴装（SMD）
CL21B683KBNE所采用的C0G（NP0）陶瓷介质是目前最稳定的电介质之一，能够在极宽的温度范围内保持电容值的高度一致性。这种材料的晶体结构在外部环境变化时几乎不发生形变，因此不会因温度波动而产生明显的容量漂移。这使得该电容器非常适合用于高精度模拟电路，例如有源滤波器、LC谐振回路、ADC/DAC参考电压旁路等应用场景。此外，C0G材料还具备极低的介电损耗，其损耗角正切值（tanδ）通常低于0.0015，意味着在高频工作条件下能量损失极小，有助于提升系统效率并减少发热问题。
另一个关键优势是其对直流偏置电压的零依赖性。许多高介电常数的陶瓷电容器（如X7R、Y5V）在施加直流电压后会出现显著的电容下降现象，但CL21B683KBNE由于使用的是线性介质，其电容值不受施加电压的影响，确保了电路设计中的可预测性和稳定性。这一特性对于电源去耦和信号路径中的交流耦合尤为重要。
该器件还具备出色的长期稳定性，老化率几乎为零。相比之下，某些铁电介质电容器会随着时间推移出现电容衰减（例如每年下降几个百分点），而C0G材质不存在自发极化现象，因此不会发生老化相关的性能退化。同时，其机械结构经过优化设计，能有效抵抗PCB弯曲和热循环带来的应力，降低开裂风险，提高了整体系统的可靠性。综合来看，CL21B683KBNE是一款面向高性能、长寿命、高稳定需求应用的理想选择。
CL21B683KBNE因其卓越的电气稳定性和温度特性，被广泛应用于对信号保真度和系统可靠性要求较高的领域。在射频（RF）和无线通信模块中，它常用于匹配网络、滤波器和天线调谐电路，确保频率响应的一致性与最小插入损耗。在精密模拟前端设计中，例如医疗设备、测试测量仪器和音频放大器中，该电容器用于ADC输入缓冲、基准电压去耦和有源滤波环节，以维持信号链的线性度和动态范围。
在工业控制与自动化系统中，CL21B683KBNE可用于PLC模块、传感器信号调理电路以及高精度电源监控单元，提供稳定的滤波和噪声抑制能力。由于其工作温度范围宽达-55°C至+125°C，也适用于恶劣环境下的户外设备或车载电子系统，如汽车信息娱乐系统、ADAS传感器接口和车载电源管理模块。此外，在高端消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该型号常作为关键节点的去耦电容，保障敏感模拟电路免受数字噪声干扰。
在时钟和定时电路中，该电容器配合石英晶体或SAW器件使用，能够提高振荡器的频率稳定性和启动可靠性。其低失真和无微音效应的特性也使其适合用于高保真音频路径中的耦合与旁路功能。总之，凡是对电容稳定性、低损耗和长期可靠性有严格要求的应用场景，CL21B683KBNE都是一个值得信赖的选择。
GRM21BR71H683KA01D
CC0805JRNPO9BN68N
C2012JB1H683K
