CL21B682JBANNNC 是一款由村田制作所(Murata)生产的多层陶瓷电容器(MLCC),属于 C0G/NP0 温度特性的超低ESL(等效串联电感)产品系列。该型号的电容器主要应用于高频电路中,例如射频模块、滤波器和振荡器等场景,其高稳定性和低损耗特性使得它在信号完整性要求较高的应用中表现优异。
CL21 系列以其卓越的温度稳定性和耐电压性能而闻名,适合需要长期可靠运行的环境。此型号的额定电压为 6.3V,并具有极低的介质损耗,能够在广泛的频率范围内保持稳定的电气特性。
容量:22pF
额定电压:6.3V
容差:±0.3pF
温度特性:C0G/NP0
封装尺寸:0402 (英制) / 1005 (公制)
直流偏置特性:不显著(适用于C0G材料)
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
绝缘电阻:≥1000MΩ
等效串联电感(ESL):极低
等效串联电阻(ESR):极低
CL21B682JBANNNC 的核心优势在于其使用了 C0G/NP0 类型的陶瓷介质,这种材料在宽广的工作温度范围内具有出色的温度稳定性,容量变化率小于 ±30ppm/℃。此外,该型号还具备以下特点:
1. 高频率下表现出色,适用于 RF 和微波电路。
2. 极低的介质损耗(tanδ),能够有效减少能量损失。
3. 耐焊接热性好,可承受标准回流焊工艺。
4. 体积小巧,便于高密度设计中的布局。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
由于采用了先进的多层结构技术,CL21 系列电容器在高频条件下的性能尤为突出,是精密信号处理和电源管理的理想选择。
CL21B682JBANNNC 广泛应用于对电气性能要求极高的领域,包括但不限于:
1. 射频前端模块(RF FEM)中的匹配网络和滤波器。
2. 振荡器及晶体电路中的耦合与旁路功能。
3. 高速数字电路中的去耦电容。
4. 医疗设备、工业控制和通信基站中的高频信号链。
5. GPS 和其他无线通信系统中的抗干扰组件。
由于其卓越的温度稳定性和可靠性,这款电容器非常适合航空航天、汽车电子以及高性能计算等苛刻环境下的应用。
CL21B221JBANNC
GRM1555C1H220JA01D
CC0402C220J5GACD