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CL21B225KOQVPNE 发布时间 时间:2025/7/7 14:46:32 查看 阅读:19

CL21B225KOQVPNE 是一种多层陶瓷电容器 (MLCC),属于 C0G 介质类型,具有高稳定性和低温度系数的特性。该型号通常用于射频和高频应用,由于其优秀的电气性能和稳定性,在通信设备、医疗电子、工业控制等领域有广泛应用。
  该电容器采用了表面贴装技术 (SMT),适合自动化装配流程,能够满足现代电子产品对小型化和高效生产的需求。

参数

容量:22pF
  额定电压:50V
  公差:±5%
  工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
  封装形式:0402
  介质材料:C0G
  ESR(等效串联电阻):非常低
  频率特性:优异

特性

CL21B225KOQVPNE 的主要特性包括:
  1. 高稳定性:C0G 介质材料保证了电容值在温度变化范围内几乎保持恒定。
  2. 超低温度系数:这种电容器具有接近零的温度漂移,适用于对精度要求较高的场景。
  3. 小型化设计:采用 0402 封装,体积小,适合高密度电路板设计。
  4. 宽工作温度范围:能够在极端温度环境下正常工作,适用于各种苛刻的应用条件。
  5. 高可靠性:经过严格的质量检测,具备长寿命和高可靠性,适合关键性应用场景。

应用

CL21B225KOQVPNE 主要应用于以下领域:
  1. 滤波电路:用作高频滤波器中的元件,可有效滤除高频干扰信号。
  2. 耦合与解耦:用于电源线路的去耦以及信号传输中的耦合。
  3. 射频模块:适用于无线通信设备中的射频前端电路。
  4. 医疗设备:用于超声波仪器、心率监测器等需要高精度和高稳定性的场合。
  5. 工业控制:为工业自动化系统提供稳定的电容支持。

替代型号

CL21B225KQQVPNE
  GRM152R71C220JL01D
  CC0402C220J1GACD

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