CL21B225KOQVPNE 是一种多层陶瓷电容器 (MLCC),属于 C0G 介质类型,具有高稳定性和低温度系数的特性。该型号通常用于射频和高频应用,由于其优秀的电气性能和稳定性,在通信设备、医疗电子、工业控制等领域有广泛应用。
该电容器采用了表面贴装技术 (SMT),适合自动化装配流程,能够满足现代电子产品对小型化和高效生产的需求。
容量:22pF
额定电压:50V
公差:±5%
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装形式:0402
介质材料:C0G
ESR(等效串联电阻):非常低
频率特性:优异
CL21B225KOQVPNE 的主要特性包括:
1. 高稳定性:C0G 介质材料保证了电容值在温度变化范围内几乎保持恒定。
2. 超低温度系数:这种电容器具有接近零的温度漂移,适用于对精度要求较高的场景。
3. 小型化设计:采用 0402 封装,体积小,适合高密度电路板设计。
4. 宽工作温度范围:能够在极端温度环境下正常工作,适用于各种苛刻的应用条件。
5. 高可靠性:经过严格的质量检测,具备长寿命和高可靠性,适合关键性应用场景。
CL21B225KOQVPNE 主要应用于以下领域:
1. 滤波电路:用作高频滤波器中的元件,可有效滤除高频干扰信号。
2. 耦合与解耦:用于电源线路的去耦以及信号传输中的耦合。
3. 射频模块:适用于无线通信设备中的射频前端电路。
4. 医疗设备:用于超声波仪器、心率监测器等需要高精度和高稳定性的场合。
5. 工业控制:为工业自动化系统提供稳定的电容支持。
CL21B225KQQVPNE
GRM152R71C220JL01D
CC0402C220J1GACD