时间：2025/11/12 11:46:00
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CL21B225KOFNNNG是韩国三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于常规商用级贴片电容，广泛应用于各类消费类电子、通信设备及工业控制电路中。其命名遵循三星的标准编码规则：CL代表陶瓷电容，21表示尺寸代码（对应0805英制尺寸，即2.0mm x 1.25mm），B代表额定电压为50V DC，225表示电容值为2.2μF（即22 × 10^5 pF），K代表电容容差为±10%，O表示端电极材料为三层电极（Ni-Sn），F表示包装形式为编带（Taping），NNN表示无铅且符合RoHS环保标准。该电容采用X7R温度特性介质材料，具有良好的温度稳定性和较高的体积效率，适用于去耦、滤波、旁路和信号耦合等典型应用场景。由于其小尺寸、高可靠性以及优异的高频性能，CL21B225KOFNNNG在现代高密度PCB设计中被大量使用。
型号：CL21B225KOFNNNG
制造商：Samsung Electro-Mechanics
封装尺寸：0805 (2.0mm x 1.25mm)
电容值：2.2μF
容差：±10%
额定电压：50V DC
介质材料：X7R
温度特性：-55°C 至 +125°C，电容变化不超过±15%
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
温度系数：X7R
端电极结构：三层电极（Ni-Sn）
安装方式：表面贴装（SMD）
产品等级：工业级
符合标准：RoHS、无卤素（Halogen-Free）
包装形式：编带（Tape and Reel）
CL21B225KOFNNNG所采用的X7R陶瓷介质赋予了其出色的温度稳定性，在-55°C到+125°C的宽温范围内，电容值的变化幅度控制在±15%以内，远优于Y5V等材料，适合对电容稳定性要求较高的中等精度应用场合。这种稳定性使其能够在电源管理电路中作为有效的去耦电容，有效抑制因负载瞬变引起的电压波动，提升系统的供电质量。
该器件采用先进的叠层结构制造工艺，通过数百层陶瓷与内电极交替堆叠烧结而成，从而实现小尺寸下高达2.2μF的电容量。相比传统电解电容，它不仅体积更小，而且没有极性，避免了反接风险，同时具备更低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），在高频噪声滤除方面表现优异。
其三层端电极（Ni-Sn）设计增强了焊接可靠性和抗机械应力能力，能有效防止因热胀冷缩或PCB弯曲导致的焊点开裂或元件断裂。此外，该电容具备良好的耐湿性和长期稳定性，经过高温高湿偏压测试（H3TRB）验证，确保在恶劣环境下仍能保持性能可靠。
作为一款无铅、符合RoHS指令的产品，CL21B225KOFNNNG支持绿色环保制造流程，并兼容现代回流焊工艺，峰值温度可达260°C，满足无铅焊接要求。其编带包装形式便于自动化贴片机取料，提高SMT生产线效率，适用于大规模批量生产场景。
CL21B225KOFNNNG广泛应用于多种电子系统中，特别是在需要稳定电容值和良好频率响应的场合。常见用途包括开关电源（SMPS）中的输入输出滤波电容，用于平滑直流电压并减少纹波干扰；在DC-DC转换器模块中作为旁路电容，为IC提供瞬态电流支持，降低电源阻抗。
在数字电路中，该电容常用于微处理器、FPGA、ASIC等高速逻辑芯片的电源引脚附近，执行局部去耦功能，吸收高频噪声，防止电源反弹影响信号完整性。此外，在模拟前端电路中，也可用于信号路径的交流耦合或低通滤波网络中，配合电阻构成RC滤波器，以滤除高频杂讯。
该器件也适用于消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能电视、无线路由器等内部电源管理单元；在工业控制领域可用于PLC模块、传感器接口电路中的噪声抑制；同时在汽车电子非动力系统（如车载信息娱乐系统）中也有应用，前提是工作条件在其额定参数范围内。由于其不具备AEC-Q200认证，因此不推荐用于汽车安全关键系统或极端环境下的长期运行场景。
GRM21BR71H224KA01L
CC0805KRX7R9BB224
C2012X7R1H224K
