时间：2025/11/12 21:08:03
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CL21B225KAFNNNF 是三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于C系列，采用标准的0805（2012公制）封装尺寸，具备较高的体积效率和可靠性，广泛应用于各类消费电子、工业控制及通信设备中。型号中的编码遵循三星的标准命名规则：CL代表陶瓷电容，21表示尺寸代码（对应0805），B代表额定电压为50V，225表示电容值为2.2μF（即22×10^5 pF），K代表电容容差为±10%，A表示介质材料为X7R特性，FNNN为批次或端接类型标识，F通常表示无铅端子且符合RoHS环保要求。该电容器采用镍阻挡层电极结构，具有良好的抗硫化性能和热稳定性，适用于回流焊工艺，在高温高湿环境下仍能保持稳定的电气性能。作为一款高性能贴片电容，CL21B225KAFNNNF在去耦、滤波、旁路和信号耦合等电路中发挥重要作用，尤其适合对空间布局和长期可靠性有较高要求的应用场景。
电容值：2.2μF
容差：±10%
额定电压：50V DC
介质材料：X7R
温度特性：±15% @ -55°C 至 +125°C
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
封装尺寸：0805（2.0mm × 1.25mm）
端接类型：Ni/Sn（镍/锡），无铅
绝缘电阻：≥4000MΩ 或 τ≥100s（取较大者）
耐久性：1000小时@额定电压+125°C
抗焊接热：符合IEC 60068-2-56标准
可焊性：符合IEC 60068-2-20标准
CL21B225KAFNNNF 采用X7R型陶瓷介质，具备优异的温度稳定性和电容保持率。其电容值在-55°C到+125°C的整个工作温度范围内变化不超过±15%，确保了在宽温环境下的可靠运行。相比Y5V等其他介质类型，X7R材料在温度变化时表现出更小的电容漂移，使其特别适用于需要稳定电容特性的去耦和滤波应用。
该器件额定电压为50V DC，能够承受较高的直流偏置电压。尽管MLCC的电容值会随施加电压增加而有所下降（特别是高介电常数材料如X7R），但CL21B225KAFNNNF在设计上优化了介电层厚度与层数分布，使得在实际工作电压下仍能维持较理想的电容表现。对于电源线路中的噪声抑制和电压稳定，这一特性至关重要。
封装方面，0805尺寸在小型化与可制造性之间取得了良好平衡，既节省PCB空间，又便于自动化贴装和回流焊接。其端电极为三层结构（铜-镍-锡），提供优良的可焊性和抗迁移能力，同时满足RoHS和无卤素要求，适应现代绿色电子产品的发展趋势。
此外，该电容具备出色的抗硫化能力，通过使用镍阻挡层技术防止外部硫元素渗透导致内部电极劣化，从而提升产品在恶劣环境（如工业现场或含硫气氛）中的长期可靠性。它还通过了严格的寿命测试，在125°C高温和满额定电压下持续工作1000小时后，电容值衰减和漏电流仍处于规范范围内，体现了高耐久性。
CL21B225KAFNNNF 广泛用于各类电子设备的电源管理与信号调理电路中。在数字系统中，它常被用作微处理器、FPGA或ASIC的电源去耦电容，有效滤除高频噪声并稳定供电电压，防止因瞬态电流变化引起的电压波动影响芯片正常工作。其2.2μF的电容值与50V额定电压组合，适合作为中等容量储能元件，配合更低容值的瓷片电容形成多级滤波网络，覆盖从低频到高频的干扰抑制需求。
在DC-DC转换器和LDO稳压电路中，该电容可用于输入或输出滤波环节，平滑电压纹波，提高电源效率与稳定性。由于X7R介质的良好频率响应特性，即使在开关频率较高的电源拓扑中也能保持较低的阻抗表现，有助于降低整体输出噪声。
此外，该器件也适用于工业控制模块、汽车电子（非引擎舱）、通信接口保护电路以及消费类电子产品如智能手机、平板电脑和智能家居设备中的模拟前端滤波。在这些应用中，它承担着旁路、耦合、退耦和局部能量存储的功能，保障系统的电磁兼容性与运行可靠性。
得益于其抗硫化设计，CL21B225KAFNNNF 还可在一定程度上用于轻度污染环境下的户外设备或工业传感器节点，增强了在复杂气候条件下的适应能力。总体而言，这款电容以其稳定的电气性能、紧凑的尺寸和可靠的制造工艺，成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。
GRM21BR71H224KA01L
CL21A225KPFNNNE
C2012X7R1H224K
