CL21B223KBNC 时间：2025/11/11 10:08:50 阅读：20

CL21B223KBNC是三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于常规的X7R介电质系列，具有稳定的电气性能和较高的可靠性，广泛应用于各类消费电子、工业控制及通信设备中。型号中的编码遵循三星的标准命名规则：CL代表多层陶瓷电容，21表示封装尺寸为0805（英制），B代表额定电压为50V，223表示电容值为22nF（即22000pF），K代表电容容差为±10%，N为端头电极材料代码，C表示编带包装方式。该电容器采用表面贴装（SMD）封装，适合自动化贴片工艺，适用于回流焊流程。其结构紧凑，体积小，能够在较宽的温度范围内保持良好的稳定性，是现代高密度PCB设计中的常用元件之一。

参数

产品类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　电容值：22nF (22000pF)
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　介电材质：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15% (在-55°C至+125°C之间)
　　封装尺寸：0805（公制2012）
　　长度：约2.0mm
　　宽度：约1.25mm
　　高度：最大1.25mm
　　端接类型：镍/锡镀层（Ni-Sn）
　　包装形式：卷带包装（Tape and Reel）
　　适用焊接工艺：回流焊

特性

CL21B223KBNC采用X7R型陶瓷介质，具备良好的温度稳定性和较小的容量随温度变化的漂移。X7R材料属于二类陶瓷电介质，其主要成分为钛酸钡与多种添加剂的复合体系，能够在-55°C到+125°C的宽温范围内保持电容值的变化不超过±15%，这使得它非常适合用于对稳定性有一定要求但不需要像C0G/NP0那样极高精度的应用场景。该电容器的电容值为22nF，容差为±10%，提供了合理的精度水平，在大多数去耦、滤波和旁路应用中表现良好。其额定直流电压为50V，意味着在正常工作条件下可长期承受最高50V的直流偏压，同时在施加电压时需注意实际有效电压降额使用以提高可靠性。
　　该器件采用0805（2012）小型化封装，尺寸仅为2.0mm × 1.25mm，适合高密度PCB布局需求，尤其适用于空间受限的设计环境。作为SMD元件，CL21B223KBNC兼容标准的SMT贴片工艺，并可通过无铅回流焊进行安装，符合RoHS环保标准。内部结构由多个交错堆叠的陶瓷层与内电极交替构成，形成高有效面积的平行板电容结构，从而在小体积下实现较高的电容值。由于X7R介质具有一定的电压依赖性，随着外加直流偏压增加，实际可用电容会有所下降，因此在电源去耦等高压应用场景中应参考厂商提供的DC偏压曲线评估真实性能。
　　CL21B223KBNC具有较低的等效串联电阻（ESR）和适中的等效串联电感（ESL），使其在中高频范围内仍能保持较好的去耦效果，常被用于IC电源引脚的噪声抑制、模拟信号路径的滤波以及电源模块的输出平滑。此外，该器件机械强度较高，抗热冲击能力强，能够经受多次回流焊过程而不损坏。整体而言，这款MLCC在成本、性能与可靠性之间取得了良好平衡，是工业级和消费级电子产品中广泛应用的基础元件之一。

应用

CL21B223KBNC广泛应用于各类电子电路中，主要用于电源去耦、信号滤波、旁路、耦合和噪声抑制等场合。常见于数字集成电路（如MCU、FPGA、ASIC）的电源引脚附近，用以滤除高频噪声并稳定供电电压。在开关电源（SMPS）系统中，该电容器可用于输入输出端的滤波网络，帮助降低纹波电压并提升系统稳定性。此外，在模拟前端电路（AFE）、传感器接口、音频处理模块中，也可作为交流耦合或低通滤波元件使用。
　　由于其工作温度范围宽达-55°C至+125°C，该器件适用于工业控制设备、车载电子系统、网络通信设备以及家用电器等多种环境条件下的应用。在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，因其小型化封装优势，也常用于空间紧凑的PCB设计。此外，还可用于时钟电路、振荡器旁路、ADC/DAC参考电压滤波等对稳定性有一定要求但不苛求超高精度的场景。凭借其可靠的性能和成熟的制造工艺，CL21B223KBNC成为工程师在中等精度电容选型中的常用选择之一。