型号：CL21B106KOQNNNG
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　电容值：10μF (106)
　　额定电压：50V DC
　　电介质类型：X7R
　　温度系数：X7R (-55°C to +125°C, ±15%)
　　封装尺寸：0805 (2012 公制)
　　引脚数量：2
　　安装类型：表面贴装 (SMD)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　长度：2.0mm
　　宽度：1.25mm
　　高度：1.25mm
　　端接类型：镍阻挡层 (Ni-barrier)
　　容差：±10%
　　最大厚度：1.25mm
　　产品类别：陶瓷电容器 > MLCC

CL21B106KOQNNNG具备出色的电气与机械性能，其核心优势在于采用了X7R型陶瓷介质材料，这种材料在宽温度范围内表现出优异的电容稳定性，能够在极端环境条件下维持电路功能的可靠性。相比Z5U或Y5V等其他介电材料，X7R具有更小的容量漂移，尤其适合对温度敏感的应用场景。该电容器的50V额定电压使其适用于多种中压电源线路，例如开关电源次级侧滤波或微处理器供电轨的去耦网络。10μF的大容量在0805尺寸内实现，得益于三星先进的叠层技术和高介电常数陶瓷材料的应用，这在同类产品中属于较高水平，有助于减少外部滤波元件的数量。
　　该器件采用镍阻挡层端子结构，显著提升了抗硫化能力，防止因空气中硫化物引起的内部电极腐蚀，从而延长了使用寿命，特别适用于工业、汽车或高湿度环境中使用的产品。同时，其无磁性设计避免了在高频或敏感模拟电路中引入干扰，适用于射频模块或精密测量仪器中的旁路应用。CL21B106KOQNNNG支持回流焊工艺，热冲击耐受性强，在JEDEC标准的多次回流循环下仍能保持结构完整性和电气性能稳定。此外，由于是多层陶瓷结构，其ESR（等效串联电阻）较低，ESL（等效串联电感）也较小，有利于高频噪声的有效抑制，提升电源完整性（Power Integrity）。
　　该电容不具备极性，避免了装配过程中的反向连接风险，相较于电解电容更加安全可靠。其固有的长寿命特性（理论上可达数十年）无需定期更换，非常适合用于高可靠性系统如医疗设备、工业控制系统或网络基础设施。整体而言，CL21B106KOQNNNG是一款兼顾高性能、小型化与环境适应性的现代MLCC代表产品，满足当前电子产品向轻薄化、高效化发展的趋势需求。

CL21B106KOQNNNG广泛应用于各类需要稳定大容量滤波的电子系统中。常见用途包括DC-DC转换器的输入和输出端滤波，用于平滑电压波动并降低纹波电流，提高电源效率与稳定性。在微控制器、FPGA、ASIC等数字芯片的供电引脚附近，它作为去耦电容使用，能够快速响应瞬态电流变化，防止电压跌落导致系统复位或误操作。该器件也适用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、智能电视和可穿戴设备中的电源管理单元（PMU）电路。在工业控制领域，可用于PLC模块、传感器接口板和电机驱动器中的信号调理与电源滤波部分。
　　由于其良好的温度稳定性和抗环境应力能力，CL21B106KOQNNNG也可用于汽车电子系统，例如车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和车身控制模块，特别是在非动力总成但需满足AEC-Q200可靠性标准参考条件下的应用。通信设备如基站射频单元、光模块和路由器主板中，该电容可用于电源旁路和噪声抑制，保障高速数据传输的信号完整性。此外，在电源适配器、LED驱动电源和工业电源模块中，它常被用作辅助储能和滤波元件，替代部分小型电解电容以节省空间并提升寿命。其无极性、低维护特性和SMD封装形式，使其成为现代自动化生产线上首选的被动元件之一。

GRM21BR71H106KA01L
　　CM21X7R1H106K25AH
　　C2012X7R1H106K25TA
　　KRM21BR71H106KA01