CL21B106KOQNNNE 是一种多层陶瓷电容器 (MLCC),属于 C0G/NP0 类介质材料。该型号具有高稳定性和低温度系数,适用于对电气性能要求较高的场景。其封装形式通常为表面贴装器件 (SMD),适合自动化生产。该电容器的额定电压和容量等参数使其广泛应用于滤波、耦合、旁路等电路中。
此型号中的各字母和数字代表了不同的特性,例如电容值、耐压等级、封装尺寸以及允差等。
电容值:1uF
额定电压:50V
容差:±10%
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装:0805
介质材料:C0G/NP0
ESR(等效串联电阻):低
DF(损耗因数):极低
CL21B106KOQNNNE 的主要特点是采用了 C0G/NP0 类介质材料,这种材料具有优异的温度稳定性,其容量随温度的变化非常小(几乎为零)。此外,该型号还具备以下特点:
1. 高频率稳定性:在高频环境下依然保持稳定的性能。
2. 超低损耗:由于使用了高质量的陶瓷介质,其损耗因子(DF)较低。
3. 抗湿性良好:经过特殊处理后能够适应潮湿环境。
4. 小型化设计:符合现代电子设备对小型化元器件的需求。
5. 高可靠性:即使在极端条件下也能保持良好的电气性能。
CL21B106KOQNNNE 广泛用于各种需要高稳定性的电路中,包括但不限于:
1. 振荡电路:如时钟振荡器、信号发生器等。
2. 滤波电路:用作电源滤波或信号滤波。
3. 耦合与去耦:在放大器和其他模拟电路中起到信号传递或干扰抑制的作用。
4. RF 电路:适用于射频模块中的匹配网络和滤波。
5. 工业控制设备:如 PLC、变频器等需要高可靠性的场合。
CL21B106KONNEQE
GRM155R71H106KE84
CC0805JRNP01H106K