时间：2025/11/12 20:01:53
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CL21B105KOFNFNE是一款由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于常规的X7R介电质系列，具有较高的电容稳定性以及良好的温度特性，适用于广泛的工业、消费类和通信电子设备中。此型号的封装尺寸为0805（英制），即公制2012，适合表面贴装技术（SMT），在现代高密度PCB设计中应用广泛。CL21B105KOFNFNE的标称电容值为1.0μF（105表示1.0×10^5 pF），额定电压为50V，电容容差为±10%（K级）。该产品采用无铅兼容结构，符合RoHS环保标准，适用于自动贴片生产线，具备良好的焊接可靠性和机械强度。作为一款主流的去耦、滤波和旁路电容，CL21B105KOFNFNE在电源管理电路、DC-DC转换器、信号耦合及噪声抑制等场景中发挥重要作用。其制造工艺成熟，批次一致性好，是电子设计中常用的被动元件之一。
电容值：1.0μF
容差：±10%
额定电压：50V
介电材料：X7R
温度特性：-55°C 至 +125°C，电容变化不超过±15%
封装尺寸：0805（2012）
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
绝缘电阻：≥4000MΩ 或 τ ≥ 500S（取较小值）
最大厚度：约1.25mm
端接类型：镍阻挡层/锡外涂层（Ni-Sn），适用于回流焊
RoHS合规性：是
电容代码：105
生产商：Samsung Electro-Mechanics
产品系列：CL21
直流偏压特性：在50V工作电压下，实际电容值会因介质非线性而下降，典型降幅为30%-50%
CL21B105KOFNFNE采用X7R型陶瓷介质，这种材料具有优异的温度稳定性，在-55°C到+125°C的工作温度范围内，电容值的变化不超过±15%，使其适用于对温度漂移敏感的应用场合。相较于Y5V或Z5U等高介电常数但温漂较大的材料，X7R在稳定性和电容密度之间取得了良好平衡。该电容器的1.0μF电容值在50V额定电压下仍能保持相对稳定的性能，尽管在接近额定电压时由于陶瓷介质的非线性效应会导致电容值明显下降，但在大多数实际工作电压（如5V、12V或24V系统）下仍可提供充足的去耦能力。其0805（2012）封装形式兼顾了焊接可靠性与空间利用率，既适合自动化贴装，又能承受一定的机械应力，减少因热循环或振动导致的开裂风险。
该器件的端子结构采用镍阻挡层加锡外涂层（Ni-Sn），有效防止银离子迁移，并兼容无铅回流焊工艺，满足现代绿色制造要求。CL21B105KOFNFNE具备低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），特别适合作为高频去耦电容使用，能够快速响应瞬态电流变化，稳定电源轨电压。此外，其高绝缘电阻（通常大于4000MΩ）确保了极低的漏电流，适用于高阻抗电路和长时间储能场景。批量生产的一致性高，电容值分布集中，有助于提高整机产品的良率和可靠性。三星电机凭借先进的叠层技术和严格的质量控制体系，使该型号在汽车电子、工业控制和通信模块中获得广泛应用。
值得注意的是，尽管CL21B105KOFNFNE不具备C0G/NP0级别的频率和温度稳定性，但其在成本、体积和电容值方面的综合优势使其成为众多中等精度应用的理想选择。设计师在使用时应考虑直流偏置对有效电容的影响，并通过并联多个小容量MLCC来优化高频响应。总体而言，该器件是一款性能均衡、供货稳定、性价比高的通用型陶瓷电容器。
CL21B105KOFNFNE广泛应用于各类电子设备中的电源去耦、滤波和旁路电路。常见使用场景包括微处理器和FPGA的电源引脚去耦，用于吸收高频噪声并稳定核心电压；在DC-DC转换器和LDO稳压电路中作为输入和输出滤波电容，提升电源纹波抑制能力；在模拟信号链路中实现交流耦合与直流隔离；以及在接口电路（如USB、Ethernet、RS-485）中用于噪声抑制和EMI防护。此外，该器件也常用于工业控制系统、消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、电视）、网络通信设备（路由器、交换机）以及汽车电子模块（如车身控制单元、信息娱乐系统）中。其良好的温度特性和可靠性使其可在较严苛的环境中长期运行。在电路板布局中，建议将其尽量靠近电源引脚放置，并通过短而宽的走线连接至地平面，以最大化去耦效果。
GRM21BR71H105KA01L, C2012X7R1H105K05BA, ECJ-2VB1H105K, UMK212BJ105KG-T
