型号：CL21B103KB6SFNC
　　电容值：10nF (103)
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　介电材料：X7R（或类似X5R）
　　封装尺寸：CL21（0805公制）
　　温度范围：-55°C 至 +125°C
　　介质类别：Class II
　　电极结构：Ni-barrier（镍阻挡层）
　　工作温度特性：ΔC/C ≤ ±15% (-55°C ~ +125°C)
　　RoHS合规性：是
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　包装形式：卷带包装（Tape and Reel）

CL21B103KB6SFNC采用先进的多层陶瓷制造工艺，内部由数十甚至上百层陶瓷介质与内电极交替堆叠而成，形成高可靠性的电容结构。其使用的X7R型介电材料具有良好的温度稳定性，在-55°C到+125°C范围内电容变化不超过±15%，适用于大多数对稳定性要求较高的应用场景。该电容的容差控制在±10%，确保了批次间的一致性，有利于提高整机良率。由于采用了镍阻挡层电极技术，该器件在多次热循环和高温存储条件下表现出优异的耐久性，有效防止铜扩散导致的短路失效，显著提升长期使用可靠性。在电气性能方面，该电容具备较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），因此在电源去耦和高频旁路应用中能够有效抑制噪声和电压波动。此外，该器件对直流偏压的敏感度相对较低，在接近额定电压时仍能保持较高比例的有效电容值，优于许多同类B类（Y5V）介质产品。CL21B103KB6SFNC还具备良好的抗湿性，经过严格的湿度敏感等级（MSL 1）测试，可在常温下长期储存而不影响焊接性能。其表面端子采用三层电镀结构（Cu/Ni/Sn），增强了可焊性和抗氧化能力，适用于无铅回流焊工艺。整体来看，这款电容在尺寸、性能与可靠性之间实现了良好平衡，特别适合用于移动设备、网络通信模块、汽车电子外围电路以及工业控制器等对空间和稳定性均有要求的场合。
　　值得一提的是，尽管该电容属于Class II介质类型，不具备Class I（如C0G/NP0）的超低损耗和零温度系数特性，但其较高的体积效率（单位体积电容量大）使其成为去耦和滤波电路的首选。在实际应用中，建议结合PCB布局优化接地路径，并避免机械应力集中以防止因板弯导致的裂纹失效。

CL21B103KB6SFNC广泛应用于多种电子系统中，主要用于电源线路的去耦与滤波，有效降低集成电路供电端的高频噪声和瞬态电压波动。在数字电路中，该电容常被布置于微处理器、FPGA、ASIC等高速芯片的电源引脚附近，作为局部储能元件，快速响应电流需求变化，维持电源完整性。此外，它也适用于模拟信号链中的耦合与退耦，例如在运算放大器、ADC/DAC前端电路中实现交流信号传递并阻断直流分量。在DC-DC转换器和LDO稳压电路中，该电容可用于输入输出滤波，平滑电压纹波，提高电源效率和稳定性。由于其具备50V额定电压，适合工作在中低压系统（如12V、24V工业控制总线）中，也可用于接口保护电路，如USB、RS-485、CAN总线等信号线的旁路滤波。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备中，该型号因其小尺寸和高可靠性而被大量采用。同时，在汽车电子领域，虽然不直接用于动力控制系统，但在车载信息娱乐系统、传感器模块和车身控制单元中也有广泛应用。此外，该电容还可用于定时电路、振荡器旁路、EMI抑制以及RF模块的偏置网络中。得益于其宽工作温度范围和良好的环境适应性，CL21B103KB6SFNC亦适用于户外设备、工业自动化装置和通信基站等严苛环境中。
　　在设计选型时，需注意避免将其置于高机械应力区域，并确保焊盘设计符合制造商推荐规范，以防因热膨胀差异引发开裂。总体而言，这是一款通用性强、性价比高的贴片电容，适用于绝大多数非精密、非高频谐振类应用场景。

GRM21BR71H103KA01D
　　 C2012X7R1H103K
　　 ECJ-2VB1H103K
　　 SR205C103KARTR1
　　 CL21A103KBANNNC