型号：CL21B102KC65PNC
　　品牌：Samsung Electro-Mechanics
　　电容值：1000pF (1nF)
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：X7R (-55°C ~ +125°C)
　　封装尺寸：0805 (公制2125)
　　介质材料：陶瓷 (Class II, X7R)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：≥4GΩ 或 IR×C≥500S
　　损耗角正切 (tanδ)：≤2.5%
　　端接类型：Ni/Sn 涂层（无铅）
　　安装方式：表面贴装 (SMD)

CL21B102KC65PNC 采用先进的多层陶瓷制造工艺，内部由交替堆叠的陶瓷介质与内电极构成，形成高密度的电容结构。其使用的X7R类铁电陶瓷材料具有良好的温度稳定性，在-55°C到+125°C范围内电容变化不超过±15%，远优于Y5V等材料，因此特别适用于需要在宽温条件下维持相对稳定电性能的电路设计。该电容的额定电压为50V DC，能够应对一般电源轨或信号线路中的电压波动，适用于中高压去耦和噪声抑制应用。
　　该器件采用0805（2.0mm × 1.25mm）封装，尺寸适中，在空间利用率和贴片工艺之间取得良好平衡，既便于自动化贴装，又具备足够的机械强度以抵抗热应力和机械振动。其内电极为镍（Ni）材质，并外覆锡（Sn）涂层，支持无铅回流焊接工艺，符合RoHS和REACH环保指令要求，适用于现代绿色电子产品制造流程。
　　CL21B102KC65PNC 具有低等效串联电阻（ESR）和较低的等效串联电感（ESL），使其在高频去耦应用中表现出色，能有效滤除电源线上的高频噪声，提升系统稳定性。此外，其高绝缘电阻（≥4GΩ）确保了极低的漏电流，适合用于高阻抗电路或精密模拟前端。尽管其电容值仅为1nF，但在射频匹配、振荡器旁路、EMI滤波等场合仍具有不可替代的作用。
　　得益于三星电机严格的品控体系和大规模生产能力，该型号具备优异的一致性和长期可靠性，经过高温存储、温度循环、耐湿性等多项可靠性测试验证，适用于消费电子、工业控制、汽车电子外围电路等多种应用场景。

CL21B102KC65PNC 广泛应用于各类电子设备中，主要用于电源去耦、信号滤波、高频旁路和阻抗匹配等电路功能。在数字系统中，它常被放置于集成电路（如MCU、FPGA、ASIC）的电源引脚附近，用于吸收瞬态电流波动，稳定供电电压，防止因电源噪声引起的误操作或系统崩溃。在模拟电路中，该电容可用于运算放大器输入/输出端的高频滤波，或作为参考电压源的旁路元件，提高系统的信噪比和精度。
　　在通信设备中，CL21B102KC65PNC 可用于射频前端模块的偏置电路滤波、本地振荡器（LO）输出端的交流接地，以及传输线的阻抗匹配网络中，帮助减少信号反射和电磁干扰（EMI）。由于其X7R介质的良好频率响应特性，即使在数百MHz频率下仍能保持有效的电容行为，因此适合中高频段应用。
　　此外，该电容也常见于电源管理单元（PMU）、DC-DC转换器的输入/输出滤波网络中，配合更大容量的电解电容或钽电容，组成多级滤波结构，进一步平滑输出电压纹波。在工业控制系统和汽车电子（非动力域）中，因其具备宽温工作能力和较高可靠性，也被用于传感器接口电路、CAN总线保护、EEPROM存储器去耦等场景。
　　由于其标准化封装和广泛供货渠道，CL21B102KC65PNC 还常用于原型开发、教学实验板和批量生产的消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、智能家居控制器、可穿戴设备等，是现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

GRM21BR71H102KA01L
　　CC0805KRX7R9BB102
　　C2012X7R1H102K