型号：CL21A475KPFNFNE
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　封装尺寸：CL21 (EIA 0805)
　　电容值：4.7μF (475)
　　容差：±10% (K)
　　额定电压：50V DC
　　电介质类型：C0G (NP0)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度系数：0 ±30ppm/°C
　　绝缘电阻：≥10,000MΩ 或 RC ≥ 500S（取较大者）
　　耐久性：在额定电压和125°C下连续工作1000小时后，电容变化不超过初始值的±15%
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　端接：镍/锡镀层（Ni-Sn），无铅兼容
　　符合标准：RoHS、REACH、AEC-Q200（部分等级）

CL21A475KPFNFNE所采用的C0G（也称为NP0）电介质材料赋予了其卓越的温度稳定性和电气线性度，这是其最显著的技术优势之一。C0G陶瓷配方基于镁钛酸盐或锆酸盐体系，在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）能够保持电容值几乎不变，典型温度系数为0±30ppm/°C，远优于X7R、Y5V等其他类别介质。这意味着无论环境如何变化，该电容器都能提供高度可预测的电气行为，特别适用于高精度定时电路、谐振回路和模拟信号处理路径。此外，C0G介质还表现出极低的电压依赖性——即使施加接近额定电压的直流偏压，电容值也不会明显下降，这与高介电常数类（如X5R/X7R）MLCC形成鲜明对比，后者在高压下可能发生高达50%以上的容量衰减。
　　该器件的另一个关键特性是其优异的频率响应能力。由于采用了优化的内部电极结构和低损耗陶瓷材料，CL21A475KPFNFNE具有非常低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而在高频下仍能维持高效的去耦和滤波性能。这对于高速数字系统中的噪声抑制至关重要，尤其是在为微处理器、FPGA或射频前端供电时，可以有效滤除高频开关噪声。同时，低介电损耗（tanδ ≤ 0.15%）意味着能量转换效率高，发热少，进一步提升了系统的整体可靠性。
　　在机械和环境适应性方面，该MLCC具备良好的抗热冲击能力和耐焊接性，支持回流焊工艺，可在标准SMT生产线上稳定贴装。其结构设计有效减少了因PCB弯曲或温度循环引起的开裂风险。此外，器件经过严格的老化测试和批次筛选，确保长期使用的稳定性与一致性，满足工业级和汽车级应用的需求。虽然C0G材质本身不具备高介电常数，因此难以做到超大容量，但在当前技术水平下，实现4.7μF容量已是重大突破，反映了三星在纳米级陶瓷粉体控制、均匀叠层印刷及高温共烧工艺上的领先地位。

CL21A475KPFNFNE因其出色的稳定性、低损耗和高可靠性，被广泛应用于对性能要求严苛的电子系统中。在射频（RF）和无线通信领域，它常用于LC谐振电路、阻抗匹配网络和带通滤波器中，确保频率响应的一致性和信号完整性，常见于Wi-Fi模块、蓝牙收发器、蜂窝通信基站前端和卫星通信设备。在精密模拟电路中，例如运算放大器反馈网络、有源滤波器、ADC/DAC参考电压旁路等场景，其不随温度和电压变化的电容特性可避免增益漂移和相位失真，提升系统测量精度。
　　在工业控制与仪器仪表中，该器件用于传感器信号调理电路、精密振荡器和时钟生成单元，保障长时间运行下的数据准确性。医疗电子设备如心电图机、超声成像仪和病人监护仪也大量采用此类电容，以满足安全性和电磁兼容性（EMC）的要求。在汽车电子方面，尽管传统上C0G电容因成本较高而主要用于关键子系统，但随着电动汽车和高级驾驶辅助系统（ADAS）的发展，其在车载信息娱乐系统、雷达模块和电池管理系统中的使用日益增多。此外，该电容器还广泛用于电源管理电路中的高频去耦，特别是为低压差稳压器（LDO）、DC-DC转换器输出端提供干净的滤波支持，有效抑制高频噪声干扰，提高电源纹波抑制比（PSRR）。

GRM21BR71H475KA93#