时间：2025/11/13 20:16:39
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CL201209T-R18K-N是一款由华新科技（Walsin Technology）生产的贴片电感（Chip Inductor），属于多层陶瓷射频电感系列，广泛应用于高频和射频电路中。该器件采用先进的多层陶瓷工艺制造，具有高Q值、低直流电阻（DCR）以及优良的高频特性，适用于移动通信设备、无线模块、蓝牙设备、Wi-Fi模块以及其他高频信号处理应用。CL201209T系列封装尺寸为2012（公制，即2.0mm x 1.25mm），高度约为0.9mm，符合小型化、轻薄化电子产品的发展趋势。型号中的'R18K'表示其标称电感值为0.18μH（即180nH），'N'通常代表无铅环保包装或特定端电极材料规格。该电感在工作频率范围内表现出良好的稳定性与可靠性，并具备较强的抗电磁干扰能力，适合用于噪声抑制和谐振电路设计。
作为一款高频多层片式电感，CL201209T-R18K-N在制造过程中采用了精密的丝网印刷技术和高温共烧陶瓷（HTCC）工艺，确保了产品的一致性和长期稳定性。其结构由多个交错排列的导体线圈层与介电陶瓷层交替堆叠而成，形成一个紧凑的三维螺旋电感结构，在有限的空间内实现较高的电感密度和品质因数。此外，该器件具有优异的温度特性和机械强度，能够在较宽的环境温度范围内稳定工作，适用于自动贴片（SMT）生产工艺，便于大规模生产装配。
型号：CL201209T-R18K-N
品牌：Walsin（华新科技）
类型：多层陶瓷射频电感
封装尺寸：2012（2.0mm × 1.25mm）
高度：0.9mm max
电感值：0.18μH（180nH）
允许偏差：±10%
额定电流：约300mA（典型值）
直流电阻（DCR）：≤0.32Ω（最大值）
自谐振频率（SRF）：≥1.8GHz（典型值）
Q值：≥45 @ 100MHz
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
存储温度范围：-40°C 至 +155°C
端电极：Ni/Sn 涂层（无铅兼容）
焊接方式：回流焊（适用于SMT）
CL201209T-R18K-N作为一款高性能多层陶瓷射频电感，具备出色的高频响应能力和稳定的电气性能。其核心优势之一是高Q值，在100MHz下Q值可达45以上，这意味着它在高频应用中具有较低的能量损耗和更高的选择性，特别适用于LC谐振电路、阻抗匹配网络以及滤波器设计。高Q值有助于提升系统的信噪比和传输效率，对于射频前端模块如功率放大器输出匹配、天线调谐等场景至关重要。同时，该电感的自谐振频率（SRF）高于1.8GHz，使其在GHz级频段仍能保持良好的电感特性，避免因接近谐振点而导致的阻抗突变问题，从而保证电路工作的稳定性。
该器件采用低温共烧陶瓷（LTCC）或多层陶瓷技术制造，内部线圈通过精密印刷与堆叠形成三维螺旋结构，有效提升了单位体积内的电感量密度。这种结构不仅减小了寄生电容的影响，还增强了磁场耦合效率，进一步优化了高频表现。其低直流电阻（DCR ≤ 0.32Ω）减少了通流时的功率损耗，提高了能量转换效率，尤其适合对功耗敏感的应用场合，例如便携式无线设备和电池供电系统。
CL201209T-R18K-N具有良好的温度稳定性和机械坚固性，可在-40°C至+125°C的宽温范围内可靠运行，满足工业级与消费类电子产品的严苛环境要求。其端电极为镍锡（Ni/Sn）涂层，完全兼容无铅回流焊工艺，符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品制造流程。此外，该电感具备较强的抗振动与热冲击能力，能够承受多次热循环而不发生性能退化，保障长期使用的可靠性。
由于其微型化封装（2012尺寸），CL201209T-R18K-N非常适合空间受限的高密度PCB布局，广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备及物联网终端等小型化产品中。其一致性好、批次稳定性强，有利于自动化贴装与回流焊接，提高生产良率。综合来看，这款电感在高频性能、尺寸、功耗和可靠性方面达到了良好平衡，是现代射频与高速数字电路中不可或缺的关键元件。
CL201209T-R18K-N主要用于各类高频及射频电子电路中，常见于移动通信设备的射频前端模块，如手机、PDA、无线模块等，用于LC滤波器、阻抗匹配网络和EMI噪声抑制电路。它也广泛应用于蓝牙模块、Wi-Fi模块、Zigbee、NFC等短距离无线通信系统中，作为谐振电感或匹配元件使用。此外，该器件可用于射频识别（RFID）、传感器模块、可穿戴设备以及物联网（IoT）终端产品中的信号调理与射频传输路径设计。由于其高Q值和优良的高频特性，还可用于压控振荡器（VCO）、低噪声放大器（LNA）输入/输出匹配、功率放大器偏置电路等关键位置，以提升系统整体射频性能。其小型化封装也使其成为高密度PCB布局的理想选择，适用于自动化表面贴装生产线。
MLG2012S181T00
LQM21PN181MG0L
DLW21HN181XK2L
