CL10C6R2DB8NNNC 是一种多层陶瓷电容器 (MLCC),属于 C0G 介质类型。该型号具有高稳定性和低损耗的特点,适合用于射频和高频应用场合。其封装形式为 0603 英寸大小,采用表面贴装技术 (SMD),便于自动化装配。这种电容器通常应用于滤波、耦合、旁路和振荡电路中,特别是在需要高频率特性和温度稳定性的情况下。
容量:6.2pF
额定电压:50V
公差:±0.25pF
介质材料:C0G
封装尺寸:0603英寸
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
DF(耗散因数):≤0.001(在1MHz下)
CL10C6R2DB8NNNC 具备以下特点:
1. 高稳定性:由于采用了 C0G 介质,这种电容器在温度变化范围内表现出极高的容量稳定性,即使在极端温度条件下,容量漂移也极小。
2. 低损耗:具备非常低的介电损耗,适用于高频信号处理。
3. 小型化设计:0603 封装使其非常适合空间受限的应用场景。
4. 广泛的工作温度范围:从 -55℃ 到 +125℃ 的宽温区间确保了它在各种环境下的可靠性。
5. 高可靠性:满足工业级和消费电子产品的严格要求。
CL10C6R2DB8NNNC 适用于多种高频电子设备中的关键功能:
1. 滤波器设计:在射频前端模块和滤波器设计中,这种电容器能够有效减少干扰信号。
2. 耦合与去耦:在高频放大器和混频器电路中作为耦合元件,保证信号完整传输;同时也可以用作电源线上的去耦电容,抑制噪声。
3. 振荡器电路:因其高稳定性和低损耗,可作为振荡器中的核心元件,提供精准的时间基准。
4. 匹配网络:在天线匹配电路中,帮助优化阻抗匹配,提高效率。
CL10B6R2CD8NNNC
GRM152C80J6R2L
CC0603KRX7T9BN6P2