型号：CL10C100JB8NCNC
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　封装/外壳：0603（1608 公制）
　　电容：10pF
　　容差：±5%
　　额定电压：50V DC
　　介电材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　温度特性：X7R（变化率≤±15%）
　　电极结构：Ni barrier（抗硫化）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　层数结构：多层陶瓷（MLCC）
　　符合标准：RoHS 合规，无卤素（Halogen Free）
　　包装形式：卷带（Tape and Reel）
　　焊接方式：回流焊（Reflow Soldering）

CL10C100JB8NCNC采用先进的多层陶瓷制造工艺，具备优异的电性能稳定性与机械强度。其X7R类II型介电材料确保在宽温度范围内电容值变化较小（最大±15%），能够在-55°C到+125°C之间维持有效功能，适用于各种严苛环境下的电子系统。该电容器的10pF小容量设计使其非常适合高频应用，例如RF匹配网络、振荡器电路和高速信号路径中的去耦，避免因寄生电感过大而引起的响应失真。其0603小型化封装不仅节省PCB空间，还降低了整体电路的寄生效应，有利于提升高频性能。
　　该器件采用镍障层（Ni Barrier）电极技术，显著增强了抗硫化能力，在含硫气体浓度较高的工业或户外环境中可防止内部电极氧化导致的开路失效，从而提高长期可靠性。这一特性使其广泛应用于汽车电子、工业控制、通信基础设施等领域。此外，CL10C100JB8NCNC支持无铅回流焊接工艺，兼容现代绿色制造流程，并通过了严格的可靠性测试，包括高温存储、温度循环、高湿偏压等试验，确保批量使用的稳定性。
　　在电气性能方面，该MLCC具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有助于实现高效的噪声抑制和快速瞬态响应。尽管是Class 2电介质，不适用于需要极高线性度的精密模拟电路，但在大多数去耦和滤波应用中表现良好。其50V额定电压提供了足够的安全裕度，适用于3.3V、5V乃至部分12V供电系统的旁路设计。总体而言，CL10C100JB8NCNC是一款兼顾小型化、可靠性和成本效益的高性能陶瓷电容器，适合大规模自动化贴片生产。

CL10C100JB8NCNC广泛应用于各类需要稳定电容特性和高可靠性的电子设备中。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，它常被用作射频模块中的匹配电容或时钟线路的耦合元件，利用其小尺寸和高频响应优势优化信号完整性。在通信系统中，该器件可用于基站射频前端、光模块和路由器主板上的去耦网络，帮助滤除高频噪声并稳定电源电压。
　　在汽车电子领域，得益于其抗硫化设计和宽温工作能力，CL10C100JB8NCNC适用于发动机控制单元（ECU）、车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块以及电池管理系统（BMS）中的滤波电路。其可靠性满足AEC-Q200标准的相关要求，适合部署在高温、高湿、振动频繁的复杂工况下。工业控制系统如PLC、变频器、工业HMI等人机交互界面也大量采用此类电容，用于模拟信号调理电路和ADC/DAC参考电压旁路。
　　此外，在医疗电子、测试测量仪器和电源管理IC周边电路中，该MLCC可用于提供局部储能、抑制开关噪声以及改善环路稳定性。其50V耐压等级允许在多种供电轨中灵活使用，尤其适合与低压LDO、DC-DC转换器配合实现输入输出滤波。总之，CL10C100JB8NCNC凭借其紧凑尺寸、稳定性能和环境适应性，成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

GRM188R71H101JA01D
　　CC0603JRX7R9BB101
　　C1608X7R1H101J080AA
　　CL10B100JB8NNCN