电容：0.68μF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：X7R（-55°C至+125°C，电容变化不超过±15%）
　　封装尺寸：0805（2.0mm × 1.25mm）
　　介质材料：陶瓷（X7R类II）
　　电极材料：镍阻挡层（Ni-barrier）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　耐焊性：符合J-STD-020标准
　　抗硫化性能：通过抗硫化测试
　　可靠性：符合EIA-198-1标准
　　RoHS合规性：符合RoHS指令（无铅、无镉）

CL10B684KO8NFNC所采用的X7R陶瓷介质具有优异的电容稳定性，在-55°C到+125°C的宽温度范围内，电容值的变化不超过±15%，远优于Y5V等其他介电类型，因此非常适合用于对电容稳定性要求较高的电路设计中。这种稳定性使得它在电源去耦、中频滤波以及信号耦合等应用场景中表现良好。X7R材料还具备较低的电容老化率，通常每年小于2.5%，确保了长期使用的性能一致性。
　　该器件的0805封装尺寸在空间布局和焊接可靠性之间实现了良好平衡，既节省PCB面积，又便于自动化贴片生产。其50V的额定电压使其能够应用于多种中低压直流电路中，例如开关电源输出端的滤波电容或IC供电引脚的去耦电容。相比更低电压等级的产品，它提供了更高的安全裕度，减少因电压瞬态冲击导致的击穿风险。
　　CL10B系列特有的镍阻挡层电极技术显著增强了器件在高湿、高温和含硫环境中的耐久性。传统银钯电极容易受到空气中硫化物的侵蚀而引发开路失效，而镍阻挡层能有效阻止硫元素向内电极扩散，从而提升产品在恶劣工业环境或汽车电子中的寿命与可靠性。这一特性特别适用于户外设备、工业控制系统和车载模块等应用场景。
　　此外，该电容器具备良好的ESR和ESL特性，虽然不如专用高频陶瓷电容（如C0G/NP0）那样优异，但在大多数中频去耦场合仍可提供有效的噪声抑制能力。其低损耗因子（tanδ ≤ 3.5%）也保证了在交流信号路径中的能量损失较小，有助于提高系统效率。整体而言，CL10B684KO8NFNC是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的主流MLCC产品。

CL10B684KO8NFNC广泛应用于各类电子设备中，作为去耦电容用于微处理器、FPGA、ASIC和其他数字集成电路的电源引脚，有效滤除高频噪声并稳定供电电压。在开关电源（SMPS）电路中，它常被用作输入和输出端的滤波元件，配合电感和其他电容组成LC滤波网络，以降低纹波电压并改善动态响应。此外，该器件也可用于DC-DC转换器模块中，特别是在中等功率等级的降压或升压电路中，承担储能和平滑电流的作用。
　　在模拟电路中，该电容器可用于信号耦合、级间隔离和低通/高通滤波器构建，尤其适用于音频处理、传感器接口和数据采集系统等对温漂有一定容忍度但需要较高电容密度的应用场景。由于其X7R材质的非线性特性，不建议用于精密定时或谐振电路，但在一般滤波任务中表现稳定可靠。
　　在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备中，CL10B684KO8NFNC因其小尺寸和高可靠性成为常用元件之一。同时，其抗硫化设计也使其适用于工业自动化设备、汽车电子模块（如车身控制单元、仪表盘）、通信基站电源管理单元等对环境适应性要求较高的领域。此外，在LED照明驱动电源、医疗电子设备和物联网终端中也有广泛应用。

GRM21BR71H684KA01L
　　C2012X7R1H684K085AE
　　TC-3225X7R50684K