型号：CL10B683MO8NNNC
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　电容值：68nF (68000pF)
　　容差：±20%
　　额定电压：16V DC
　　温度特性：X5R (±15% @ -55°C 至 +85°C)
　　封装尺寸：0805 (2.0mm x 1.25mm)
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　介质材料：Class II, High-K Ceramic (BaTiO3-based)
　　电极结构：Ni-barrier (Nickel Barrier Electrode)
　　安装类型：表面贴装 (SMD)
　　端接类型：Ni/Sn (Nickel/Tin Plated)
　　抗硫化性能：有
　　RoHS合规性：是
　　包装形式：卷带 (Tape and Reel)

CL10B683MO8NNNC采用先进的多层陶瓷制造工艺，具有优异的电气稳定性和机械强度。其X5R介电材料确保在宽温度范围内（-55°C至+85°C）电容值变化控制在±15%以内，相较于Y5V等材料具有更优的温度稳定性，适用于对电容漂移敏感的应用。该电容器的容差为±20%，虽不如精密C0G/NP0类电容严格，但在去耦、旁路和滤波应用中仍能提供可靠的性能表现。其16V直流额定电压适配于3.3V、5V及部分12V供电系统，常见于电源后级滤波或IC电源引脚的局部去耦设计中。
　　该器件采用镍阻挡层电极技术，显著提升了在含硫环境下的可靠性。传统银电极MLCC在工业或城市环境中易因大气中的硫化物形成硫化银而导致电极劣化甚至开路，而Ni-barrier结构通过在内电极外层设置镍扩散屏障，有效防止硫渗透，延长了产品寿命，特别适用于户外设备、汽车电子及工业控制系统。此外，其端子为镍/锡镀层，兼容无铅回流焊工艺，满足现代绿色电子制造的要求。
　　CL10B683MO8NNNC的小型化0805封装在保证一定耐压和容量的同时，优化了PCB空间利用率，适合高密度布局设计。其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）特性使其在高频噪声抑制方面表现良好，可有效滤除开关电源产生的纹波干扰。同时，该电容器具有较强的抗热冲击能力，在多次回流焊过程中不易产生裂纹，提升了焊接良率和产品一致性。整体而言，该型号是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的通用型MLCC，广泛用于各类电子整机产品中。

主要用于电源去耦、信号耦合、噪声滤波、DC-DC转换器输入输出滤波、模拟与数字电路间的交流耦合、时钟线路滤波以及各类消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备中的旁路应用。此外也适用于通信模块、传感器接口电路、工业控制板卡及车载信息娱乐系统的EMI抑制电路。由于其抗硫化特性，也可部署于空气污染较严重或存在工业气体暴露风险的环境中，例如城市监控设备、室外无线基站附属电路等。

GRM21BR6YA105ME47L
　　C1608X5R1C105K
　　CL10B683KO8NNNC
　　CC0805KRX5R6B683