电容值：47nF
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：X5R
　　电容容差：±10%
　　封装尺寸：0805（2.0mm × 1.25mm）
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　介质材料：Class Ⅱ, X5R
　　直流偏压特性：中等，在额定电压下电容值会有所下降
　　老化特性：≤2.5%每十年（典型值）
　　结构类型：多层片式陶瓷电容器
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍阻挡层/锡外电极（Ni-Sn）
　　无铅：是，符合RoHS标准

CL10B473KB8NNNL所采用的X5R陶瓷介质赋予了它优异的温度稳定性，能够在-55°C至+85°C的工作温度范围内保持电容变化不超过±15%，这使其适用于对温度敏感但无需精密补偿的应用场景。相较于Z5U或Y5V等材料，X5R在温度稳定性和介电常数之间实现了良好平衡，因此在电源去耦、信号滤波和中间频率电路中表现尤为出色。
　　该器件采用多层结构设计，通过交替堆叠陶瓷介质与内部电极（通常为镍或铜）形成高电容密度，从而在0805这一小型封装内实现47nF的电容值。这种结构不仅提升了单位体积的储能能力，还降低了等效串联电感（ESL），增强了高频响应性能，适合用于高频开关电源中的旁路应用。
　　值得注意的是，由于X5R属于铁电介质材料，其电容值会随着施加的直流偏压增加而显著下降。例如，在接近50V额定电压时，实际可用电容可能仅为标称值的60%-70%。因此，在电路设计中必须参考制造商提供的直流偏压特性曲线，合理评估有效电容，避免因电容衰减导致滤波效果下降或电源噪声增大。
　　此外，该型号具有较低的等效串联电阻（ESR），有助于减少功率损耗并提升系统效率，特别适用于DC-DC转换器输出滤波和IC供电引脚的局部去耦。其端子采用镍阻挡层和锡覆盖结构，确保良好的可焊性和抗迁移能力，适用于回流焊接工艺，并能在恶劣环境下维持连接可靠性。
　　整体而言，CL10B473KB8NNNL结合了小型化、高电容密度与适度稳定性，是现代电子设备中理想的通用型陶瓷电容器解决方案。

CL10B473KB8NNNL广泛应用于各类需要中等电容值与稳定电气性能的电子系统中。其最常见的用途是在电源管理电路中作为去耦电容，用于抑制集成电路（如微处理器、FPGA、ASIC）工作时产生的瞬态电流波动，保障供电电压的平稳。在DC-DC转换器和LDO稳压器的输入输出端，该电容可用于滤除高频开关噪声，提高电源纯净度。
　　在模拟电路中，该器件可用于构建低通或带通滤波网络，尤其适用于音频信号处理、传感器接口调理等场合。其X5R介质提供的相对稳定电容值可在较宽温度范围内维持滤波特性的可预测性，避免因环境变化引发系统漂移。
　　通信设备中也大量使用此类电容，例如在射频前端模块的偏置电路中实现交流接地，或在时钟发生器周围提供局部储能以降低相位噪声。其表面贴装形式支持自动化生产，适合大规模组装需求。
　　此外，在工业控制、医疗电子和汽车电子（非动力域）系统中，该电容因其可靠的性能和符合环保标准的特点而被采纳。尽管不适用于高温引擎舱环境（超过85°C），但在车厢内部电子模块如信息娱乐系统、仪表盘控制单元中仍具适用性。
　　总体来看，CL10B473KB8NNNL凭借其标准化参数和成熟工艺，已成为众多电子设计中的基础元件之一，支撑着从消费类到工业级产品的稳定运行。

GRM21BR71H473KA01L
　　CC0805KRX5R6BB473
　　C2012X5R1H473K