时间：2025/11/14 16:02:11
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CL10B225KQ8NFNC是三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于Ceramic Chip Capacitor系列，广泛应用于各类电子设备中，特别是在需要高稳定性和高可靠性的电路设计中表现优异。CL10B225KQ8NFNC采用标准的0402封装尺寸（公制1005），适合高密度贴装，适用于自动化SMT（表面贴装技术）生产工艺。该电容器的标称电容值为2.2μF，额定电压为16V DC，具有较高的电容体积比，能够在有限的空间内提供较大的储能能力。其温度特性符合X5R标准，即在-55°C至+85°C的温度范围内，电容值的变化不超过±15%。这种稳定性使其适用于去耦、旁路、滤波和电源平滑等多种应用场景。CL10B225KQ8NFNC采用镍（Ni）/锡（Sn）端接结构，具备良好的可焊性和耐热性，能够承受回流焊过程中的高温冲击。此外，该产品符合RoHS环保要求，无铅且不含对环境有害的物质，适用于绿色电子产品制造。由于三星电机在MLCC领域的先进工艺和技术积累，CL10B225KQ8NFNC在电性能一致性、可靠性及长期稳定性方面表现出色，是许多消费类电子、通信设备和工业控制模块中的常用元件。
型号：CL10B225KQ8NFNC
制造商：Samsung Electro-Mechanics
封装/尺寸：0402（1.0mm x 0.5mm）
电容值：2.2μF（225表示2.2×10^5 pF）
容差：±10%（K级）
额定电压：16V DC
温度特性：X5R（-55°C 至 +85°C，ΔC/C ≤ ±15%）
介质材料：陶瓷（Class II）
端接类型：Ni/Sn（镍/锡）
工作温度范围：-55°C 至 +85°C
应用等级：工业级
符合标准：RoHS合规，无卤素
CL10B225KQ8NFNC作为一款高性能的多层陶瓷电容器，其核心优势在于在小型化封装下实现了较高的电容值输出。在仅1.0mm × 0.5mm的0402封装中集成2.2μF的电容量，体现了三星电机先进的叠层工艺和介电材料技术。这种高密度设计极大满足了现代电子设备向轻薄化、高集成度发展的需求，特别适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等空间受限的应用场景。其X5R温度特性的选择，在成本与性能之间取得了良好平衡——相较于COG/NP0等一级陶瓷电容，X5R能在更宽温区内保持相对稳定的电容值，同时实现更高的电容密度；而相比X7R或Y5V等材料，X5R在低温下的性能衰减更小，更适合用于对温度稳定性有一定要求但无需极端精度的场合。
该器件的电压系数较低，意味着在接近额定电压16V时，电容值的下降幅度相对可控，这对于电源去耦应用尤为重要。在实际电路中，当用于DC-DC转换器的输入或输出滤波时，CL10B225KQ8NFNC能够有效抑制电压纹波和瞬态干扰，提升电源质量。其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）特性进一步增强了高频噪声的滤除能力，使其在GHz频段仍具有良好的响应性能。此外，Ni/Sn端接提供了优异的焊接可靠性和长期耐久性，避免了银迁移等问题，提高了产品的环境适应能力。整体而言，CL10B225KQ8NFNC凭借其紧凑尺寸、高电容值、良好温度稳定性和可靠的端接结构，成为众多中高端电子系统中不可或缺的基础元件。
CL10B225KQ8NFNC广泛应用于多种电子系统中，尤其在便携式消费类电子产品中占据重要地位。其主要用途包括但不限于：电源管理电路中的去耦电容，用于稳定IC供电电压，防止因电流突变引起的电压波动；在DC-DC转换器、LDO稳压器的输入和输出端作为滤波元件，降低电源噪声并提高系统效率；在模拟和数字混合信号电路中作为旁路电容，隔离高频干扰，确保信号完整性。此外，该器件也常用于微处理器、FPGA、ASIC等高速逻辑芯片的电源引脚附近，以提供瞬态电流支持并减少电磁干扰（EMI）。在通信设备如Wi-Fi模块、蓝牙模组、射频前端电路中，CL10B225KQ8NFNC可用于偏置电路和匹配网络的直流阻断与交流耦合功能。工业控制、汽车电子（非动力系统）以及医疗电子设备中，只要工作温度不超过+85°C且对电容稳定性有适中要求的场合，均可采用此型号进行设计。得益于其RoHS合规性和无卤素特性，该器件也符合现代电子产品对环保法规的要求，适用于出口型产品和绿色制造项目。
GRM155R71C225KA01D, C1005X5R1C225K030BA, 0402YC225KAT2A
