型号：CL10B223KB8NNND
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　电容值：22nF (22000pF)
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：C0G (NP0)
　　封装尺寸：0603 (1608 公制)
　　介质材料：Ceramic (C0G/NP0)
　　产品系列：CL10B
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍/锡（Ni-Sn）
　　电容稳定性：高
　　老化率：≤0.1% / decade
　　最大厚度：0.9mm
　　长度：1.6mm
　　宽度：0.8mm

CL10B223KB8NNND所采用的C0G（也称为NP0）介质材料赋予了该电容器卓越的电气性能和热稳定性。C0G是一种Class I陶瓷介质，其最显著的特点是在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）电容值几乎不随温度变化，典型温度系数为±30ppm/°C，远优于X7R、Y5V等Class II或III介质材料。这种极高的稳定性使得CL10B223KB8NNND非常适合用于振荡器、滤波器、谐振电路、定时电路等对频率精度有严格要求的应用场景。此外，C0G介质还具有极低的介电损耗（tanδ通常小于0.1%），这意味着在高频工作条件下能量损失极小，不会产生明显的发热现象，从而保证了系统的能效和可靠性。
　　除了温度稳定性外，CL10B223KB8NNND在施加直流偏压时也表现出优异的电容保持能力。与使用铁电介质（如BaTiO3）的X7R或Y5V电容器不同，C0G电容器的电容值几乎不受外加电压的影响。这一特性确保了在电源波动或信号幅度变化较大的环境中，电路的响应特性依然保持一致，避免了因电容漂移导致的性能下降。同时，该器件的老化率极低，通常小于0.1%每十倍时间周期，意味着其电容值在多年使用后仍能维持初始值，无需频繁校准或更换。
　　机械结构方面，CL10B223KB8NNND采用标准0603 SMD封装，具有良好的可焊性和空间利用率，适用于自动化贴片生产工艺。其端子采用镍/锡（Ni-Sn）镀层，提供了优良的焊接可靠性和抗腐蚀能力，适合回流焊工艺，并符合RoHS环保要求。尽管体积小巧，但该电容器仍具备50V的工作电压，满足大多数低压模拟和数字电路的需求。综合来看，CL10B223KB8NNND凭借其高稳定性、低损耗、无压电效应和长期可靠性，成为精密电子设计中的理想选择。

CL10B223KB8NNND因其优异的电气特性和稳定性，被广泛应用于对性能要求严苛的电子系统中。在射频（RF）和无线通信领域，它常用于匹配网络、滤波电路和LC谐振回路中，作为稳定电容元件以确保信号传输的准确性和效率。例如，在Wi-Fi模块、蓝牙设备、射频识别（RFID）系统以及蜂窝通信前端模块中，该电容器可用于构建高性能的带通或低通滤波器，有效抑制干扰信号并提升接收灵敏度。此外，由于其低介电损耗和无微音效应，也适合用于高保真音频放大器、前置放大电路和传感器信号调理电路中，防止噪声引入和信号失真。
　　在精密模拟电路中，CL10B223KB8NNND可用于积分器、比较器、振荡器和ADC/DAC参考电压旁路等关键位置。其稳定的电容值可确保定时精度和转换线性度，避免因环境温度变化引起的测量误差。在工业控制系统中，该器件可用于PLC模块、数据采集系统和传感器接口电路，提供可靠的去耦和滤波功能。同时，得益于其宽温工作能力和高可靠性，CL10B223KB8NNND也被应用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统、车身控制模块和ADAS辅助驾驶单元，在高温、振动等恶劣环境下仍能保持稳定运行。此外，它还可用于医疗电子设备、测试仪器和精密电源管理电路中，满足高标准的安全与性能需求。

GRM188C71H223JA01D, C0603C223K5RACTU, 06035C223K4TNT