时间：2025/11/19 14:44:02
阅读：8
CL10B122KB8NNND是三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于通用型X7R电介质系列，具有较高的稳定性和可靠性，广泛应用于各类消费电子、工业控制及通信设备中。这款电容采用标准的0603（1608公制）封装尺寸，适合表面贴装技术（SMT），在空间受限的高密度PCB布局中表现出色。其标称电容值为1.2nF（即1200pF），允许偏差为±10%，能够在宽温度范围内保持稳定的电气性能。作为一款无极性电容器，它适用于去耦、滤波、旁路和信号耦合等多种电路功能。CL10B122KB8NNNC遵循环保标准，符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，并具备良好的耐热性和焊接兼容性，可承受回流焊过程中的高温冲击。此外，该型号采用卷带包装，便于自动化贴片生产线使用，提升了制造效率与一致性。由于三星MLCC产品线以高质量和批量稳定性著称，CL10B122KB8NNND常被用于对元器件可靠性有较高要求的应用场景。
型号：CL10B122KB8NNND
制造商：Samsung Electro-Mechanics
封装/尺寸：0603 (1608mm)
电容值：1.2nF (1200pF)
容差：±10%
额定电压：50V DC
电介质类型：X7R
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
温度特性：ΔC/C ≤ ±15% (-55°C ~ +125°C)
绝缘电阻：≥4GΩ 或 RC ≥ 500sec (取较大者)
损耗角正切 (tanδ)：≤3.5%
结构层数：典型为多层叠膜结构
端子电极：Ni/Sn 涂层，无铅兼容
包装形式：卷带编带，标准商用包装
CL10B122KB8NNND采用X7R类高介电常数陶瓷材料作为电介质，具备优异的温度稳定性和频率响应特性，在-55°C到+125°C的宽温范围内电容变化率控制在±15%以内，适用于需要稳定电容值的模拟和数字电路设计。其1.2nF的标称电容配合±10%的容差，使其在滤波和耦合应用中能精准匹配设计需求。额定直流电压为50V，意味着在大多数低压电源轨（如3.3V、5V、12V系统）中具有足够的安全裕度，可用于电源去耦以抑制高频噪声传播。
该器件采用0603小型化封装，体积紧凑，有助于提高印刷电路板上的元件密度，特别适合便携式电子产品和高集成度模块。内部多层结构通过精密薄层印刷与共烧工艺实现，确保了高可靠性和机械强度。端电极为双层金属化结构（内层镍，外层锡），提供优良的可焊性和长期环境耐受性，支持无铅回流焊接工艺，符合现代绿色电子制造规范。
CL10B系列注重批次一致性和良品率控制，因此在大规模生产中表现出良好的装配良率和电气参数重复性。其低等效串联电阻（ESR）和适中的等效串联电感（ESL）使其在数百MHz以下频段具有良好的高频响应能力，适用于中高频旁路应用。此外，该电容非磁性，不会干扰敏感射频电路，可在射频前端、时钟线路旁路等场合安全使用。整体而言，该型号兼顾性能、尺寸与成本，是工业级和消费级应用中的理想选择之一。
CL10B122KB8NNND因其良好的温度稳定性、适中的电容量和较高的额定电压，被广泛应用于多种电子系统中。常见用途包括但不限于：电源管理电路中的去耦电容，用于稳定DC-DC转换器或LDO输出电压，减少因负载瞬变引起的电压波动；在微处理器和逻辑芯片的供电引脚附近用作旁路电容，滤除高频开关噪声，提升系统稳定性。
在模拟信号链路中，该电容可用于构建RC低通滤波器或抗混叠滤波器，配合电阻实现特定频率响应，抑制干扰信号进入ADC或运放输入端。同时，也可作为交流耦合电容，隔离直流偏置，传递交流信号，在音频处理、传感器接口和通信接口电路中发挥重要作用。
在射频电路设计中，尽管不是高频专用RF电容，但在中低频段（如Sub-GHz无线模块）仍可用于偏置网络滤波或阻抗匹配辅助元件。此外，该器件也常见于各类消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、智能家居设备、可穿戴设备以及工业控制板卡中，承担去耦、滤波和信号调理等功能。由于其符合AEC-Q200标准的部分应力测试条件，部分衍生型号可用于车载电子外围电路，但具体需参考官方车规认证文件。总之，这是一款通用性强、适用范围广的表面贴装陶瓷电容。
GRM188R71H122KA01D
CC0603KRX7R9BB122
CL10B122KB8NNNE
C1608X7R1H122K
EMK107BBJ1H122KD-T
