CL05C080CB5ANNC是一种陶瓷电容器,属于C0G(NP0)系列。这种电容器采用多层陶瓷技术制造,具有高稳定性和低损耗的特性,广泛应用于射频和高频电路中。其结构紧凑,适合表面贴装(SMD),并且能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电容值。
型号:CL05C080CB5ANNC
类型:多层陶瓷电容器(MLCC)
介质材料:C0G (NP0)
额定电容值:8pF
额定电压:50V
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
封装形式:0603英寸
公差:±0.25pF
直流偏置特性:低影响
ESR:非常低
CL05C080CB5ANNC电容器具有优异的温度稳定性,其电容值在温度变化时几乎不发生漂移。同时,该型号具备极低的介电损耗,适用于对信号完整性和噪声敏感的高频电路。
由于采用了C0G介质,这种电容器对外部直流偏置电压的影响非常小,因此即使在高精度应用中也能保证性能的一致性。
此外,CL05C080CB5ANNC还具备出色的抗机械振动能力,能够适应恶劣的工作环境。
CL05C080CB5ANNC主要应用于高频和射频电路设计中,包括但不限于:
1. 振荡器和滤波器
2. 无线通信模块
3. 高速数据传输线路
4. 射频放大器
5. 医疗设备中的高频信号处理部分
6. 工业控制系统的信号调理电路
7. GPS和其他卫星导航接收模块
其高稳定性和低损耗特点使得它成为高性能电子系统中不可或缺的关键元件。
CL05B80C5GANNC
CL05C080CB5ANNP
CC0603KRX7WNT8P0
GRM033C80C50L